MMBT3906,215 NEXPERIA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT3906,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MMBT3906,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, PNP, 40 V, 200 mA, 250 mW, TO-236AB, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT3906,215 за ціною від 1.64 грн до 8.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT3906,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MMBT3906,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MMBT3906,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, PNP, 40 V, 200 mA, 250 mW, TO-236AB tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MMBT3906,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 250MHz |
на замовлення 16514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MMBT3906,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16514 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MMBT3906,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
MMBT3906,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
MMBT3906,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT MMBT3906/SOT23/TO-236AB |
товару немає в наявності |