MMBT3906FA-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN0806-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 435 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 7.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT3906FA-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - MMBT3906FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 435mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT3906FA-7B за ціною від 5.68 грн до 40.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT3906FA-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 435mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT3906FA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN0806-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 435 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 25621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT3906FA-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 435mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT3906FA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 40V PNP SM Trans 435mW -40V Vceo |
на замовлення 44116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT3906FA-7B | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MMBT3906FA-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MMBT3906FA-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 435mW; X2-DFN0806-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 435mW Case: X2-DFN0806-3 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.5A Quantity in set/package: 10000pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| MMBT3906FA-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 435mW; X2-DFN0806-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 435mW Case: X2-DFN0806-3 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.5A Quantity in set/package: 10000pcs. |
товару немає в наявності |