MMBT3906FA-7B DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 22.32 грн |
| 250+ | 15.23 грн |
| 1000+ | 9.00 грн |
| 5000+ | 7.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT3906FA-7B DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 435mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT3906FA-7B за ціною від 6.63 грн до 43.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBT3906FA-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 435mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT3906FA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 40V PNP SM Trans 435mW -40V Vceo |
на замовлення 39808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT3906FA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN0806-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 435 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 13571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|