MMBT3906FZ-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 435 mW
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 9.66 грн |
| 20000+ | 8.62 грн |
| 30000+ | 8.27 грн |
| 50000+ | 7.39 грн |
| 70000+ | 7.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT3906FZ-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 925mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: X2-DFN0606, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT3906FZ-7B за ціною від 9.34 грн до 48.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT3906FZ-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT3906FZ-7B | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN0606-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 435 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 121857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT3906FZ-7B | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vceo 0.3W 250mW 250MHz |
на замовлення 13416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MMBT3906FZ-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 925mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MMBT3906FZ-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 925mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| MMBT3906FZ-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 12.25 грн |
| MMBT3906FZ-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 435 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 435 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 121857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 48.71 грн |
| 11+ | 28.96 грн |
| 100+ | 18.59 грн |
| 500+ | 13.24 грн |
| 1000+ | 11.88 грн |
| 2000+ | 10.74 грн |
| 5000+ | 9.34 грн |
| MMBT3906FZ-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vceo 0.3W 250mW 250MHz
Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vceo 0.3W 250mW 250MHz
на замовлення 13416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MMBT3906FZ-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT3906FZ-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




