MMBT3906FZ-7B

MMBT3906FZ-7B Diodes Incorporated


MMBT3906FZ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 435 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3906FZ-7B Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 925mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0606, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT3906FZ-7B за ціною від 8.63 грн до 52.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT3906FZ-7B MMBT3906FZ-7B Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0001345856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FZ-7B MMBT3906FZ-7B Виробник : Diodes Incorporated MMBT3906FZ.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 435 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.96 грн
12+26.80 грн
100+17.18 грн
500+12.23 грн
1000+10.98 грн
2000+9.92 грн
5000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FZ-7B MMBT3906FZ-7B Виробник : Diodes Incorporated MMBT3906FZ.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vceo 0.3W 250mW 250MHz
на замовлення 10099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.30 грн
12+28.52 грн
100+15.92 грн
500+12.06 грн
1000+9.85 грн
2500+9.78 грн
5000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FZ-7B MMBT3906FZ-7B Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0001345856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.33 грн
25+32.23 грн
100+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FZ-7B MMBT3906FZ-7B Виробник : Diodes Inc 6745843524719330mmbt3906fz.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FZ-7B MMBT3906FZ-7B Виробник : Diodes Zetex 6745843524719330mmbt3906fz.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906FZ-7B Виробник : DIODES INCORPORATED MMBT3906FZ.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 925mW; X2-DFN0606-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 925mW
Case: X2-DFN0606-3
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Pulsed collector current: 0.5A
Quantity in set/package: 10000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.