| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.74 грн |
| 6000+ | 8.44 грн |
| 9000+ | 8.36 грн |
| 15000+ | 7.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT3906LP-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT3906LP-7 за ціною від 6.26 грн до 48.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT3906LP-7 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT3906LP-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT3906LP-7 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS PNP |
на замовлення 74245 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT3906LP-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMBT3906LP-7 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MMBT3906LP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.74 грн |
| 6000+ | 8.44 грн |
| 9000+ | 8.36 грн |
| 15000+ | 7.09 грн |
| MMBT3906LP-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.09 грн |
| 500+ | 12.04 грн |
| 1000+ | 8.23 грн |
| MMBT3906LP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS PNP
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS PNP
на замовлення 74245 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.60 грн |
| 12+ | 27.25 грн |
| 100+ | 13.43 грн |
| 500+ | 10.06 грн |
| 1000+ | 7.95 грн |
| 3000+ | 6.26 грн |
| MMBT3906LP-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 48.00 грн |
| 25+ | 33.31 грн |
| 100+ | 21.09 грн |
| 500+ | 12.04 грн |
| 1000+ | 8.23 грн |
| MMBT3906LP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.




