MMBT3906LP-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.33 грн |
| 6000+ | 5.52 грн |
| 9000+ | 5.23 грн |
| 15000+ | 4.60 грн |
| 21000+ | 4.41 грн |
| 30000+ | 4.23 грн |
| 75000+ | 3.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT3906LP-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції MMBT3906LP-7 за ціною від 4.56 грн до 29.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT3906LP-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 9025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT3906LP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS PNP |
на замовлення 4918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT3906LP-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 9025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT3906LP-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A X1-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 115337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT3906LP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
MMBT3906LP-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT3906LP-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MMBT3906LP-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 1W; X1-DFN1006-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 1W Case: X1-DFN1006-3 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 3000pcs. Pulsed collector current: 0.2A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| MMBT3906LP-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 1W; X1-DFN1006-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 1W Case: X1-DFN1006-3 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 3000pcs. Pulsed collector current: 0.2A |
товару немає в наявності |