Продукція > ONSEMI > MMBT3906LT1H
MMBT3906LT1H

MMBT3906LT1H onsemi

MMBT3906LT1H_Rev1_Oct2016.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.37 грн
6000+2.03 грн
9000+1.90 грн
15000+1.65 грн
21000+1.57 грн
30000+1.49 грн
75000+1.30 грн
150000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3906LT1H onsemi

Description: ONSEMI - MMBT3906LT1H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MMBT3906LT1H за ціною від 1.40 грн до 13.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT3906LT1H MMBT3906LT1H Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003555649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT1H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 26758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.51 грн
1000+2.01 грн
5000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1H MMBT3906LT1H Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003555649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT1H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 26758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+8.67 грн
142+5.83 грн
276+3.00 грн
500+2.51 грн
1000+2.01 грн
5000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1H MMBT3906LT1H Виробник : onsemi MMBT3906LT1H_Rev1_Oct2016.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 222149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.94 грн
44+7.05 грн
100+4.37 грн
500+2.97 грн
1000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1H Виробник : ON Semiconductor mmbt3906lt1h-d.pdf GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8288+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 8288
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1H Виробник : ON Semiconductor mmbt3906lt1h-d.pdf GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON
на замовлення 233914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1H Виробник : onsemi on_semiconductor_mmbt3906lt1_d-1195239.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR PBFREE
на замовлення 17823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.05 грн
49+6.94 грн
112+2.65 грн
1000+2.28 грн
3000+1.77 грн
9000+1.47 грн
24000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1H Виробник : ON Semiconductor nods.pdf GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1H Виробник : ON Semiconductor mmbt3906lt1h-d.pdf GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.