Продукція > ONSEMI > MMBT3906LT1H
MMBT3906LT1H

MMBT3906LT1H onsemi

MMBT3906LT1H_Rev1_Oct2016.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.87 грн
6000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3906LT1H onsemi

Description: ONSEMI - MMBT3906LT1H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT3906LT1H за ціною від 2.16 грн до 17.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT3906LT1H MMBT3906LT1H ONSEMI ONSM-S-A0003555649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT1H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+13.90 грн
119+6.96 грн
155+5.33 грн
500+3.52 грн
1500+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1H MMBT3906LT1H ONSEMI ONSM-S-A0003555649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT1H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.90 грн
119+6.96 грн
155+5.33 грн
500+3.52 грн
1500+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1H MMBT3906LT1H onsemi MMBT3906LT1H_Rev1_Oct2016.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 303030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.07 грн
35+8.86 грн
100+5.51 грн
500+3.78 грн
1000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1H ON Semiconductor mmbt3906lt1h-d.pdf GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6551+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 6551 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1H ON Semiconductor mmbt3906lt1h-d.pdf GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON
на замовлення 233914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13101+2.70 грн
100000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 13101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1H onsemi on semiconductor_mmbt3906lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR PBFREE
на замовлення 8769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.68 грн
31+10.62 грн
100+5.71 грн
500+4.44 грн
1000+3.88 грн
3000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1H ONSM-S-A0003555649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3906LT1H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906LT1H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
60+13.90 грн
119+6.96 грн
155+5.33 грн
500+3.52 грн
1500+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1H ONSM-S-A0003555649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3906LT1H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906LT1H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+13.90 грн
119+6.96 грн
155+5.33 грн
500+3.52 грн
1500+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1H MMBT3906LT1H_Rev1_Oct2016.pdf
MMBT3906LT1H
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 303030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+15.07 грн
35+8.86 грн
100+5.51 грн
500+3.78 грн
1000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1H mmbt3906lt1h-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6551+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 6551 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1H mmbt3906lt1h-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON
на замовлення 233914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13101+2.70 грн
100000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 13101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1H on semiconductor_mmbt3906lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR PBFREE
на замовлення 8769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.68 грн
31+10.62 грн
100+5.71 грн
500+4.44 грн
1000+3.88 грн
3000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.