MMBT3906LT3G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT3906LT3G onsemi
Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT3906LT3G за ціною від 1.59 грн до 945.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT3906LT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT3906LT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT3906LT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT3906LT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT3906LT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT3906LT3G | onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT3906LT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBT3906LT3G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP |
на замовлення 128491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
 |
MMBT3906LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 60640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
MMBT3906LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 60640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| MMBT3906LT3G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 2.16 грн |
| MMBT3906LT3G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 2.16 грн |
| MMBT3906LT3G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 2.17 грн |
| MMBT3906LT3G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4659+ | 3.03 грн |
| 5137+ | 2.75 грн |
| 6173+ | 2.29 грн |
| 6466+ | 2.10 грн |
| MMBT3906LT3G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 74+ | 10.25 грн |
| 103+ | 7.34 грн |
| 111+ | 6.82 грн |
| 163+ | 4.45 грн |
| 250+ | 3.95 грн |
| 500+ | 2.60 грн |
| 1000+ | 2.35 грн |
| 3000+ | 1.96 грн |
| 6000+ | 1.87 грн |
| MMBT3906LT3G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 10.29 грн |
| 52+ | 5.94 грн |
| 100+ | 3.65 грн |
| 500+ | 2.47 грн |
| 1000+ | 2.17 грн |
| 2000+ | 1.91 грн |
| 5000+ | 1.59 грн |
| MMBT3906LT3G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 945.69 грн |
| MMBT3906LT3G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
на замовлення 128491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MMBT3906LT3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 60640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT3906LT3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 60640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)