Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT3906LT3G
MMBT3906LT3G

MMBT3906LT3G ON Semiconductor

1227mmbt3906lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3906LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBT3906LT3G за ціною від 0.63 грн до 9.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.03 грн
20000+0.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10792+1.13 грн
30000+1.09 грн
50000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 10792
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10490+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 10490
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.19 грн
20000+0.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.28 грн
20000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 74600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5883+2.07 грн
7426+1.64 грн
9037+1.35 грн
9203+1.28 грн
15000+1.17 грн
30000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 5883
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.24 грн
1000+1.58 грн
5000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 74600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+6.52 грн
143+4.24 грн
162+3.73 грн
254+2.30 грн
257+2.10 грн
500+1.65 грн
1000+1.31 грн
3000+1.07 грн
6000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 7223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.96 грн
65+4.75 грн
106+2.90 грн
500+1.96 грн
1000+1.71 грн
2000+1.50 грн
5000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+8.83 грн
147+5.62 грн
251+3.29 грн
500+2.24 грн
1000+1.58 грн
5000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
на замовлення 54958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+9.01 грн
75+4.57 грн
160+1.84 грн
1000+1.40 грн
2500+1.25 грн
10000+1.03 грн
20000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ONSEMI mmbt3906lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ONSEMI mmbt3906lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.