Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT3906LT3G
MMBT3906LT3G

MMBT3906LT3G ON Semiconductor

mmbt3906lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3906LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT3906LT3G за ціною від 0.75 грн до 10.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18750+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 18750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.50 грн
20000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.60 грн
30000+1.55 грн
50000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.08 грн
20000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.08 грн
20000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4659+3.02 грн
5137+2.73 грн
6173+2.28 грн
7500+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 4659 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 89998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.01 грн
50+5.93 грн
100+3.63 грн
500+2.46 грн
1000+2.16 грн
2000+1.90 грн
5000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+10.20 грн
103+7.31 грн
111+6.79 грн
163+4.43 грн
250+3.93 грн
500+2.59 грн
1000+2.34 грн
3000+1.95 грн
6000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
на замовлення 45681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 60869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 60869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18750+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 18750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+1.50 грн
20000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+1.60 грн
30000+1.55 грн
50000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.08 грн
20000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.08 грн
20000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4659+3.02 грн
5137+2.73 грн
6173+2.28 грн
7500+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 4659 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 89998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.01 грн
50+5.93 грн
100+3.63 грн
500+2.46 грн
1000+2.16 грн
2000+1.90 грн
5000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+10.20 грн
103+7.31 грн
111+6.79 грн
163+4.43 грн
250+3.93 грн
500+2.59 грн
1000+2.34 грн
3000+1.95 грн
6000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
на замовлення 45681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3906LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 60869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3906LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 60869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.