Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT3906LT3G
MMBT3906LT3G

MMBT3906LT3G ON Semiconductor

mmbt3906lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17648+0.70 грн
20548+0.60 грн
30000+0.59 грн
50000+0.56 грн
Мінімальне замовлення: 17648
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3906LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT3906LT3G за ціною від 0.60 грн до 9.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+0.75 грн
20000+0.65 грн
30000+0.64 грн
50000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ON Semiconductor 1227mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.24 грн
20000+1.07 грн
30000+1.06 грн
50000+0.66 грн
70000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.27 грн
20000+1.09 грн
30000+1.03 грн
50000+0.89 грн
70000+0.85 грн
100000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.33 грн
20000+1.15 грн
30000+1.14 грн
50000+0.71 грн
70000+0.65 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.40 грн
30000+1.26 грн
50000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8109+1.53 грн
8380+1.48 грн
8721+1.42 грн
9091+1.31 грн
15000+1.16 грн
30000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 8109
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 69048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.33 грн
1000+1.73 грн
5000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+5.47 грн
204+3.48 грн
275+2.57 грн
341+2.00 грн
378+1.67 грн
500+1.40 грн
1000+1.36 грн
3000+1.30 грн
6000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 100596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.43 грн
67+4.77 грн
109+2.94 грн
500+1.98 грн
1000+1.73 грн
2000+1.52 грн
5000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : onsemi MMBT3906LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
на замовлення 72025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
43+8.46 грн
71+5.01 грн
115+2.67 грн
500+1.99 грн
1000+1.60 грн
2500+1.53 грн
5000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 69048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+9.17 грн
156+5.53 грн
250+3.44 грн
500+2.33 грн
1000+1.73 грн
5000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G Виробник : ONSEMI mmbt3906lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.