MMBT3906TT1G

MMBT3906TT1G ON Semiconductor


mmbt3906tt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 24000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3906TT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT3906TT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT3906TT1G за ціною від 0.90 грн до 10.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Виробник : onsemi mmbt3906tt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.83 грн
6000+1.56 грн
9000+1.46 грн
15000+1.26 грн
21000+1.20 грн
30000+1.14 грн
75000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
367+2.02 грн
611+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 367
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6098+2.13 грн
7178+1.81 грн
9000+1.79 грн
15000+1.53 грн
21000+1.04 грн
30000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 6098
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.28 грн
6000+1.94 грн
9000+1.92 грн
15000+1.64 грн
21000+1.11 грн
30000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003065612-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906TT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.69 грн
1500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 31931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4717+2.75 грн
4886+2.66 грн
5085+2.56 грн
5301+2.36 грн
6000+2.10 грн
15000+1.93 грн
30000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 4717
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 31931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
140+5.33 грн
232+3.20 грн
234+3.17 грн
243+2.95 грн
252+2.64 грн
500+2.44 грн
1000+2.35 грн
3000+2.25 грн
6000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Виробник : onsemi mmbt3906tt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
на замовлення 26623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.17 грн
62+5.25 грн
100+3.16 грн
500+2.25 грн
1000+1.97 грн
3000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Виробник : onsemi mmbt3906tt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.48 грн
55+5.55 грн
100+3.41 грн
500+2.31 грн
1000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003065612-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906TT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+10.16 грн
129+6.36 грн
214+3.84 грн
500+2.69 грн
1500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906TT1G Виробник : ON-Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 MMBT3906T-13-F MMBT3906T-7-F MMBT3906T-TP MMBT3906TT1G TMMBT3906tt1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G
Код товару: 44932
Додати до обраних Обраний товар

mmbt3906tt1-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906TT1G Виробник : ONSEMI mmbt3906tt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.