MMBT3906TT1H ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT3906TT1H - SS SC75 GP XSTR PNP 40V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9000+ | 3.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT3906TT1H ONSEMI
Description: SS SC75 GP XSTR PNP 40V, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції MMBT3906TT1H за ціною від 3.36 грн до 3.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBT3906TT1H | Виробник : onsemi |
Description: SS SC75 GP XSTR PNP 40V Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|