MMBT3906WT1G ON Semiconductor


mmbt3904wt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 55030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
381+1.98 грн
651+1.16 грн
728+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3906WT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT3906WT1G за ціною від 1.07 грн до 20.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G ON Semiconductor mmbt3904wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6522+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6522 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G ONSEMI mmbt3904wt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
на замовлення 7497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+8.95 грн
55+7.64 грн
61+6.81 грн
97+4.32 грн
123+3.40 грн
500+2.14 грн
1000+1.88 грн
1500+1.78 грн
3000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G onsemi mmbt3904wt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
54+5.61 грн
100+3.46 грн
500+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+10.79 грн
127+6.39 грн
206+3.92 грн
500+2.65 грн
1500+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.79 грн
127+6.39 грн
206+3.92 грн
500+2.65 грн
1500+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G onsemi mmbt3904wt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.05 грн
38+8.42 грн
100+3.93 грн
500+2.69 грн
1000+2.28 грн
3000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G ON-Semiconductor mmbt3904wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 MMBT3906WT1G TMMBT3906wt1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G mmbt3904wt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6522+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6522 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G mmbt3904wt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
на замовлення 7497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
50+8.95 грн
55+7.64 грн
61+6.81 грн
97+4.32 грн
123+3.40 грн
500+2.14 грн
1000+1.88 грн
1500+1.78 грн
3000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G mmbt3904wt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
34+9.32 грн
54+5.61 грн
100+3.46 грн
500+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G ONSM-S-A0013307668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
75+10.79 грн
127+6.39 грн
206+3.92 грн
500+2.65 грн
1500+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G ONSM-S-A0013307668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+10.79 грн
127+6.39 грн
206+3.92 грн
500+2.65 грн
1500+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G mmbt3904wt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+20.05 грн
38+8.42 грн
100+3.93 грн
500+2.69 грн
1000+2.28 грн
3000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G mmbt3904wt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 MMBT3906WT1G TMMBT3906wt1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.