Продукція > ONSEMI > MMBT3906WT1G
MMBT3906WT1G

MMBT3906WT1G onsemi

mmbt3904wt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.78 грн
6000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3906WT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT3906WT1G за ціною від 1.03 грн до 12.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G ON Semiconductor mmbt3904wt1d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 49802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+2.00 грн
602+1.25 грн
728+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G onsemi mmbt3904wt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 32724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.49 грн
54+5.71 грн
100+3.51 грн
500+2.38 грн
1000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G ONSEMI mmbt3904wt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
на замовлення 7337 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.76 грн
57+7.45 грн
96+4.44 грн
117+3.63 грн
500+2.58 грн
1000+2.23 грн
1500+2.04 грн
3000+1.79 грн
6000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G onsemi mmbt3904wt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
на замовлення 116924 шт:
термін постачання 378-387 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G ON-Semiconductor mmbt3904wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 MMBT3906WT1G TMMBT3906wt1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G mmbt3904wt1d.pdf
MMBT3906WT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 49802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
376+2.00 грн
602+1.25 грн
728+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G mmbt3904wt1-d.pdf
MMBT3906WT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 32724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+9.49 грн
54+5.71 грн
100+3.51 грн
500+2.38 грн
1000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G mmbt3904wt1-d.pdf
MMBT3906WT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
на замовлення 7337 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.76 грн
57+7.45 грн
96+4.44 грн
117+3.63 грн
500+2.58 грн
1000+2.23 грн
1500+2.04 грн
3000+1.79 грн
6000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G mmbt3904wt1-d.pdf
MMBT3906WT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
на замовлення 116924 шт:
термін постачання 378-387 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G ONSM-S-A0013307668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3906WT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G ONSM-S-A0013307668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3906WT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906WT1G mmbt3904wt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 MMBT3906WT1G TMMBT3906wt1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.