Продукція > ONSEMI > MMBT4124LT1G
MMBT4124LT1G

MMBT4124LT1G onsemi

mmbt4124lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.26 грн
6000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT4124LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT4124LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT4124LT1G за ціною від 2.93 грн до 16.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT4124LT1G MMBT4124LT1G ON Semiconductor mmbt4124lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 300000mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4124LT1G MMBT4124LT1G ON Semiconductor mmbt4124lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 300000mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3732+3.78 грн
9000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 3732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4124LT1G MMBT4124LT1G ON Semiconductor mmbt4124lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 300000mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8197+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 8197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4124LT1G MMBT4124LT1G ON Semiconductor mmbt4124lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 300000mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2885+4.89 грн
2907+4.85 грн
4000+3.53 грн
4033+3.37 грн
4066+3.10 грн
6000+2.95 грн
15000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 2885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4124LT1G MMBT4124LT1G ON Semiconductor mmbt4124lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 300000mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+13.32 грн
94+8.03 грн
95+7.94 грн
154+4.72 грн
250+4.33 грн
500+3.02 грн
1000+3.00 грн
3000+2.98 грн
6000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4124LT1G MMBT4124LT1G onsemi mmbt4124lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 25V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 256761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.42 грн
31+10.02 грн
100+6.21 грн
500+4.28 грн
1000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4124LT1G MMBT4124LT1G onsemi mmbt4124lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 30V NPN
на замовлення 39286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4124LT1G MMBT4124LT1G ONSEMI mmbt4124lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBT4124LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4124LT1G MMBT4124LT1G ON Semiconductor mmbt4124lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 300000mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4124LT1G mmbt4124lt1-d.pdf
MMBT4124LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 300000mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4124LT1G mmbt4124lt1-d.pdf
MMBT4124LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 300000mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3732+3.78 грн
9000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 3732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4124LT1G mmbt4124lt1-d.pdf
MMBT4124LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 300000mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8197+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 8197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4124LT1G mmbt4124lt1-d.pdf
MMBT4124LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 300000mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2885+4.89 грн
2907+4.85 грн
4000+3.53 грн
4033+3.37 грн
4066+3.10 грн
6000+2.95 грн
15000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 2885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4124LT1G mmbt4124lt1-d.pdf
MMBT4124LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 300000mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
57+13.32 грн
94+8.03 грн
95+7.94 грн
154+4.72 грн
250+4.33 грн
500+3.02 грн
1000+3.00 грн
3000+2.98 грн
6000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4124LT1G mmbt4124lt1-d.pdf
MMBT4124LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 256761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.42 грн
31+10.02 грн
100+6.21 грн
500+4.28 грн
1000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4124LT1G mmbt4124lt1-d.pdf
MMBT4124LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 30V NPN
на замовлення 39286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4124LT1G mmbt4124lt1-d.pdf
MMBT4124LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4124LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4124LT1G mmbt4124lt1-d.pdf
MMBT4124LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 300000mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.