MMBT4126LT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.95 грн |
| 6000+ | 2.92 грн |
| 9000+ | 2.72 грн |
| 24000+ | 2.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT4126LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT4126LT1G за ціною від 2.47 грн до 22.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT4126LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT4126LT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT4126LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT4126LT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 53709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT4126LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT4126LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 25V PNP |
на замовлення 37611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MMBT4126LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 20914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT4126LT1G |
|
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MMBT4126LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4762+ | 2.95 грн |
| 6000+ | 2.92 грн |
| 9000+ | 2.72 грн |
| 24000+ | 2.59 грн |
| MMBT4126LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.49 грн |
| 6000+ | 3.01 грн |
| MMBT4126LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2312+ | 6.08 грн |
| 2337+ | 6.01 грн |
| 2412+ | 5.83 грн |
| 3172+ | 4.27 грн |
| 3837+ | 3.27 грн |
| 6000+ | 2.47 грн |
| MMBT4126LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 53709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 17.70 грн |
| 28+ | 10.60 грн |
| 100+ | 6.61 грн |
| 500+ | 4.55 грн |
| 1000+ | 4.02 грн |
| MMBT4126LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 22.16 грн |
| 61+ | 12.34 грн |
| 62+ | 12.14 грн |
| 124+ | 5.86 грн |
| 250+ | 5.37 грн |
| 500+ | 4.99 грн |
| 1000+ | 3.80 грн |
| 3000+ | 3.14 грн |
| 6000+ | 2.47 грн |
| MMBT4126LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 25V PNP
Bipolar Transistors - BJT 200mA 25V PNP
на замовлення 37611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MMBT4126LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






