Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT4126LT1G
MMBT4126LT1G

MMBT4126LT1G ON Semiconductor

mmbt4126lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4762+2.66 грн
6000+2.64 грн
9000+2.45 грн
24000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 4762
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT4126LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT4126LT1G за ціною від 2.10 грн до 22.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4126lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.85 грн
6000+2.82 грн
9000+2.62 грн
24000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G Виробник : onsemi mmbt4126lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.34 грн
6000+2.89 грн
9000+2.72 грн
15000+2.37 грн
21000+2.27 грн
30000+2.16 грн
75000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4126lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2312+5.48 грн
2337+5.42 грн
2412+5.25 грн
3172+3.85 грн
3837+2.95 грн
6000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 2312
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G Виробник : onsemi MMBT4126LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 200mA 25V PNP
на замовлення 42354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+19.84 грн
30+12.37 грн
100+6.72 грн
500+4.98 грн
1000+4.35 грн
3000+3.56 грн
6000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G Виробник : onsemi mmbt4126lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 265093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.54 грн
28+12.03 грн
100+7.47 грн
500+5.14 грн
1000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4126lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+21.41 грн
61+11.93 грн
62+11.73 грн
124+5.66 грн
250+5.19 грн
500+4.83 грн
1000+3.67 грн
3000+3.03 грн
6000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+22.01 грн
67+13.40 грн
106+8.38 грн
500+5.73 грн
1000+4.64 грн
5000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G mmbt4126lt1-d.pdf
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4126lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4126lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4126lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.