MMBT4126LT1G ON Semiconductor
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4762+ | 2.59 грн |
| 6000+ | 2.56 грн |
| 9000+ | 2.38 грн |
| 24000+ | 2.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT4126LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBT4126LT1G за ціною від 2.02 грн до 20.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBT4126LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT4126LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT4126LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 261000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4126LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT4126LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 25V PNP |
на замовлення 42364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4126LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 265093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4126LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 29579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4126LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MMBT4126LT1G |
|
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4126LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4126LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
MMBT4126LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| MMBT4126LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 120...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz |
товару немає в наявності |