Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT4126LT1G
MMBT4126LT1G

MMBT4126LT1G ON Semiconductor

mmbt4126lt1d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4967+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 4967 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4967 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT4126LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT4126LT1G за ціною від 2.73 грн до 26.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G ON Semiconductor mmbt4126lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4226+3.45 грн
4298+3.39 грн
4361+3.34 грн
4438+3.17 грн
4505+2.89 грн
6000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 4226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G onsemi mmbt4126lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G onsemi mmbt4126lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 25V PNP
на замовлення 35405 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
19+17.11 грн
31+10.14 грн
100+5.93 грн
500+4.52 грн
1000+4.00 грн
3000+3.41 грн
9000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G onsemi mmbt4126lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 4947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.75 грн
28+11.14 грн
100+6.95 грн
500+4.79 грн
1000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G ON Semiconductor mmbt4126lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.20 грн
48+16.21 грн
100+10.10 грн
500+7.15 грн
1000+5.84 грн
3000+4.67 грн
6000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G mmbt4126lt1d.pdf
MMBT4126LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4226+3.45 грн
4298+3.39 грн
4361+3.34 грн
4438+3.17 грн
4505+2.89 грн
6000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 4226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G mmbt4126lt1-d.pdf
MMBT4126LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G mmbt4126lt1-d.pdf
MMBT4126LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 25V PNP
на замовлення 35405 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.11 грн
31+10.14 грн
100+5.93 грн
500+4.52 грн
1000+4.00 грн
3000+3.41 грн
9000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G mmbt4126lt1-d.pdf
MMBT4126LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 4947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.75 грн
28+11.14 грн
100+6.95 грн
500+4.79 грн
1000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G mmbt4126lt1d.pdf
MMBT4126LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+26.20 грн
48+16.21 грн
100+10.10 грн
500+7.15 грн
1000+5.84 грн
3000+4.67 грн
6000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G ONSM-S-A0013299331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT4126LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G ONSM-S-A0013299331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT4126LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.