Продукція > ONSEMI > MMBT4126LT1G
MMBT4126LT1G

MMBT4126LT1G onsemi

mmbt4126lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.07 грн
6000+2.65 грн
9000+2.49 грн
15000+2.18 грн
21000+2.08 грн
30000+1.99 грн
75000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT4126LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT4126LT1G за ціною від 2.37 грн до 20.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G onsemi mmbt4126lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 25V PNP
на замовлення 38371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.40 грн
38+8.59 грн
100+4.96 грн
500+3.56 грн
1000+3.14 грн
3000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G onsemi mmbt4126lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 265093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.85 грн
28+11.04 грн
100+6.85 грн
500+4.72 грн
1000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.20 грн
67+12.30 грн
106+7.69 грн
500+5.26 грн
1000+4.26 грн
5000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G mmbt4126lt1-d.pdf
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G mmbt4126lt1-d.pdf
MMBT4126LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 25V PNP
на замовлення 38371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
22+15.40 грн
38+8.59 грн
100+4.96 грн
500+3.56 грн
1000+3.14 грн
3000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G mmbt4126lt1-d.pdf
MMBT4126LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 265093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+18.85 грн
28+11.04 грн
100+6.85 грн
500+4.72 грн
1000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G ONSM-S-A0013299331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT4126LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
41+20.20 грн
67+12.30 грн
106+7.69 грн
500+5.26 грн
1000+4.26 грн
5000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4126LT1G mmbt4126lt1-d.pdf
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.