MMBT4126LT3G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 1.63 грн |
| 20000+ | 1.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT4126LT3G onsemi
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3, Power - Max: 225 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MMBT4126LT3G за ціною від 1.72 грн до 10.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBT4126LT3G | onsemi |
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 161325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MMBT4126LT3G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 20V |
на замовлення 16340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBT4126LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4126LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 79062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20491 шт В кошику од. на суму грн. |
| MMBT4126LT3G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 161325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 10.78 грн |
| 47+ | 6.37 грн |
| 100+ | 3.89 грн |
| 500+ | 2.65 грн |
| 1000+ | 2.32 грн |
| 2000+ | 2.05 грн |
| 5000+ | 1.72 грн |
| MMBT4126LT3G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 20V
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 20V
на замовлення 16340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MMBT4126LT3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4126LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MMBT4126LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 79062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)