на замовлення 660000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11279+ | 1.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT4401-13-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - MMBT4401-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT4401-13-F за ціною від 0.79 грн до 9.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT4401-13-F | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 310 mW |
на замовлення 640000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBT4401-13-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT4401-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401-13-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 310 mW |
на замовлення 648730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401-13-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT4401-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBT4401-13-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN |
на замовлення 136212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBT4401-13-F | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401-13-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401-13-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| MMBT4401-13-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 350mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 20...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Pulsed collector current: 1A Quantity in set/package: 10000pcs. |
товару немає в наявності |