
MMBT4401LT1G ON Semiconductor
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 0.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT4401LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBT4401LT1G за ціною від 0.54 грн до 10.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3468000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3468000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT4401LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT4401LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 130919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT4401LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 130919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1G | Виробник : ONS |
![]() |
на замовлення 2729 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT4401LT1G Код товару: 113743
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT4401LT1 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 17980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT4401LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT4401LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 61729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT4401LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 86138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1775 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1 | Виробник : ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT4401LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT4401LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT4401LT1 | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |