MMBT4401LT1G ON Semiconductor
на замовлення 2499000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19737+ | 0.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT4401LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT4401LT1G за ціною від 0.69 грн до 12.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2499000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT4401LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 324000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT4401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 125024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 325078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT4401LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN |
на замовлення 21195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 125024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MMBT4401LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
NPN 600mA 40V 300mW 250MHz 100|
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів)
|
| |||||||||||||||||||||
| MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,3; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 250; hFE = 100 @ 150 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3 |
на замовлення 1775 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
 |
MMBT4401LT1G Код товару: 113743
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||||
 |
MMBT4401LT1 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 600MA SOT23 |
на замовлення 17980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MMBT4401LT1 | Виробник : ON SEMICONDUCTOR |
TRANS SS GP NPN 40V, 600mA, SOT-23 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBT4401LT1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4401LT1 - MMBT4401 - TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
 |
MMBT4401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT1 | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN |
товару немає в наявності |