MMBT4401LT1G

MMBT4401LT1G ON Semiconductor


mmbt4401lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2196000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18750+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 18750
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT4401LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT4401LT1G за ціною від 0.91 грн до 11.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.09 грн
6000+1.08 грн
9000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : onsemi mmbt4401lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 1176000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.97 грн
6000+1.68 грн
9000+1.57 грн
15000+1.36 грн
21000+1.30 грн
30000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013307720-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.29 грн
9000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4336+3.00 грн
6551+1.98 грн
9000+1.85 грн
27000+1.50 грн
51000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 4336
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+10.77 грн
97+7.70 грн
120+6.19 грн
170+4.22 грн
250+3.64 грн
500+2.84 грн
1000+2.35 грн
3000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : onsemi mmbt4401lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 1180818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.06 грн
49+6.31 грн
100+3.86 грн
500+2.62 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : onsemi mmbt4401lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.96 грн
45+7.18 грн
100+3.79 грн
500+2.74 грн
1000+2.39 грн
3000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ONSEMI 1571916.pdf Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 115369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+11.96 грн
124+6.61 грн
206+3.99 грн
500+2.74 грн
1500+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ONSEMI 1571916.pdf Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 115369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.96 грн
124+6.61 грн
206+3.99 грн
500+2.74 грн
1500+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G Виробник : ON-Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf NPN 600mA 40V 300mW 250MHz 100кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,3; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 250; hFE = 100 @ 150 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G
Код товару: 113743
Додати до обраних Обраний товар

mmbt4401lt1-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1 MMBT4401LT1 Виробник : onsemi mmbt4401lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 600MA SOT23
на замовлення 17980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17980+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 17980
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1 Виробник : ON SEMICONDUCTOR mmbt4401lt1-d.pdf TRANS SS GP NPN 40V, 600mA, SOT-23
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
100+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1 Виробник : ONSEMI ONSMS15461-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4401LT1 - MMBT4401 - TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ONSEMI mmbt4401lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1 MMBT4401LT1 Виробник : onsemi MMBT4401LT1_D-2315944.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.