MMBT4401LT1G

MMBT4401LT1G ON Semiconductor


mmbt4401lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT4401LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBT4401LT1G за ціною від 0.76 грн до 10.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.27 грн
6000+1.15 грн
9000+0.95 грн
15000+0.90 грн
21000+0.83 грн
24000+0.79 грн
30000+0.77 грн
75000+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8929+1.37 грн
9869+1.24 грн
11905+1.02 грн
15000+0.97 грн
21000+0.89 грн
24000+0.85 грн
30000+0.83 грн
75000+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 8929
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7937+1.54 грн
8288+1.47 грн
9000+1.45 грн
27000+1.33 грн
51000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 7937
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013307720-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.73 грн
9000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4644+2.63 грн
5618+2.17 грн
6881+1.77 грн
8824+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 4644
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ONSEMI 1571916.pdf Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 129903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.66 грн
1500+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+8.76 грн
104+5.82 грн
114+5.32 грн
175+3.34 грн
250+2.89 грн
500+2.09 грн
1000+1.73 грн
3000+1.41 грн
6000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ONSEMI 1571916.pdf Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 129903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+10.65 грн
131+6.31 грн
206+4.02 грн
500+2.66 грн
1500+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G Виробник : ONS mmbt4401lt1-d.pdf Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Vce=40 V, Ic=0,6 A, Pmax=0,3 W, Ft=250 MHz
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
63+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G
Код товару: 113743
Додати до обраних Обраний товар

mmbt4401lt1-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1 MMBT4401LT1 Виробник : onsemi mmbt4401lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 600MA SOT23
на замовлення 17980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17980+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 17980
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : onsemi mmbt4401lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.83 грн
6000+1.56 грн
9000+1.46 грн
15000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : onsemi mmbt4401lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 16187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.55 грн
55+5.59 грн
100+3.41 грн
500+2.31 грн
1000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1 Виробник : ON SEMICONDUCTOR mmbt4401lt1-d.pdf TRANS SS GP NPN 40V, 600mA, SOT-23
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
63+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,3; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 250; hFE = 100 @ 150 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1 Виробник : ONSEMI ONSMS15461-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4401LT1 - MMBT4401 - TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ONSEMI mmbt4401lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : onsemi MMBT4401LT1_D-1811601.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ONSEMI mmbt4401lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1 MMBT4401LT1 Виробник : onsemi MMBT4401LT1_D-2315944.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.