Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT4401LT1G
MMBT4401LT1G

MMBT4401LT1G ON Semiconductor

mmbt4401lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2598000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19737+0.63 грн
Мінімальне замовлення: 19737
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT4401LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT4401LT1G за ціною від 0.68 грн до 11.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2598000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.86 грн
6000+0.84 грн
15000+0.83 грн
21000+0.79 грн
30000+0.72 грн
75000+0.69 грн
150000+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013307720-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.89 грн
9000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4747+2.62 грн
6000+2.52 грн
9000+2.32 грн
27000+2.02 грн
51000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 4747
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4374+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 4374
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ONSEMI 1571916.pdf Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 129120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.89 грн
1500+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+9.97 грн
97+7.37 грн
117+6.08 грн
174+3.95 грн
250+3.28 грн
500+2.61 грн
1000+2.07 грн
3000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ONSEMI 1571916.pdf Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 129120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+11.79 грн
124+6.98 грн
205+4.21 грн
500+2.89 грн
1500+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,3; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 250; hFE = 100 @ 150 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt4401lt1-d.pdf NPN 600mA 40V 300mW 250MHz 100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G
Код товару: 113743
Додати до обраних Обраний товар

mmbt4401lt1-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1 MMBT4401LT1 Виробник : onsemi mmbt4401lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 600MA SOT23
на замовлення 17980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17980+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 17980
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : onsemi MMBT4401LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN
на замовлення 143258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.74 грн
57+6.27 грн
100+3.30 грн
500+2.46 грн
1000+2.30 грн
3000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1 Виробник : ON SEMICONDUCTOR mmbt4401lt1-d.pdf TRANS SS GP NPN 40V, 600mA, SOT-23
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
63+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1 Виробник : ONSEMI ONSMS15461-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4401LT1 - MMBT4401 - TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : onsemi mmbt4401lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : onsemi mmbt4401lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1G MMBT4401LT1G Виробник : ONSEMI mmbt4401lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT1 MMBT4401LT1 Виробник : onsemi MMBT4401LT1_D-2315944.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.