MMBT4401LT1G ON Semiconductor
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 0.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT4401LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT4401LT1G за ціною від 0.76 грн до 10.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1 | Виробник : onsemi | Description: TRANS NPN 40V 600MA SOT23 |
на замовлення 17980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 399000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 399000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 600mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 15250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN |
на замовлення 97496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 19279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 600mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 15250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,3; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 250; hFE = 100 @ 150 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3 |
на замовлення 1775 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1 | Виробник : ON SEMICONDUCTOR | TRANS SS GP NPN 40V, 600mA, SOT-23 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1G | Виробник : ONS | Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Vce=40 V, Ic=0,6 A, Pmax=0,3 W, Ft=250 MHz |
на замовлення 2729 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4401LT1 - MMBT4401 - TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1G Код товару: 113743 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 20...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 20...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
MMBT4401LT1 | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN |
товар відсутній |