MMBT4401LT3G ON Semiconductor
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12712+ | 0.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT4401LT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT4401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT4401LT3G за ціною від 0.84 грн до 10.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBT4401LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT4401LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 53782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT4401LT3G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN |
на замовлення 44757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT4401LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 45666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT4401LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4401LT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 |
на замовлення 8578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
MMBT4401LT3G Код товару: 186458
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||||
 |
MMBT4401LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |