MMBT4401LT3G

MMBT4401LT3G ON Semiconductor


mmbt4401lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10792+1.17 грн
30000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 10792
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT4401LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT4401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT4401LT3G за ціною від 1.11 грн до 12.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G Виробник : onsemi mmbt4401lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.57 грн
20000+1.36 грн
30000+1.28 грн
50000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+10.11 грн
107+6.76 грн
108+6.69 грн
172+4.06 грн
250+3.54 грн
500+2.55 грн
1000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G Виробник : onsemi mmbt4401lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 58138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.37 грн
58+5.82 грн
100+3.59 грн
500+2.43 грн
1000+2.13 грн
2000+1.87 грн
5000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G Виробник : onsemi MMBT4401LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN
на замовлення 16066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+11.18 грн
57+6.52 грн
100+3.51 грн
500+2.56 грн
1000+2.00 грн
5000+1.76 грн
10000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013307720-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+12.00 грн
126+7.14 грн
217+4.13 грн
500+2.88 грн
1000+2.07 грн
5000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013307720-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4401LT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT3G
Код товару: 186458
Додати до обраних Обраний товар

mmbt4401lt1-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.