MMBT4401M3T5G ON Semiconductor
на замовлення 12443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6788+ | 1.91 грн |
| 6850+ | 1.89 грн |
| 9147+ | 1.42 грн |
| 9934+ | 1.26 грн |
| 10949+ | 1.06 грн |
| 12097+ | 0.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT4401M3T5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT4401M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT4401M3T5G за ціною від 1.09 грн до 23.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT4401M3T5G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 265 mW |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 62000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 15528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 12443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT4401M3T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4401M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT4401M3T5G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS |
на замовлення 5145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401M3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 265 mW |
на замовлення 15289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401M3T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4401M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4401M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| MMBT4401M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| MMBT4401M3T5G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.64W; SOT723 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.64W Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz |
товару немає в наявності |