 
MMBT4401M3T5G ON Semiconductor
на замовлення 12443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3356+ | 3.69 грн | 
| 3387+ | 3.66 грн | 
| 3410+ | 3.63 грн | 
| 3441+ | 3.47 грн | 
| 3465+ | 3.19 грн | 
| 6000+ | 3.03 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT4401M3T5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT4401M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції MMBT4401M3T5G за ціною від 3.28 грн до 23.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | MMBT4401M3T5G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 265 mW | на замовлення 8000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MMBT4401M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 24000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MMBT4401M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 16000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MMBT4401M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 62000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MMBT4401M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 15528 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MMBT4401M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 2300 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MMBT4401M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 12443 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MMBT4401M3T5G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MMBT4401M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8380 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MMBT4401M3T5G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 265 mW | на замовлення 15864 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MMBT4401M3T5G | Виробник : onsemi |  Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS | на замовлення 5145 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | MMBT4401M3T5G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MMBT4401M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8380 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
| MMBT4401M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |   | на замовлення 6 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||||
|   | MMBT4401M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||
| MMBT4401M3T5G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.64W; SOT723 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.64W Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz | товару немає в наявності |