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Технічний опис MMBT4401T-7-F Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - MMBT4401T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT4401T-7-F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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MMBT4401T-7-F | DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - MMBT4401T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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MMBT4401T-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT4401T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| MMBT4401T-7-F |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT4401T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT4401T-7-F |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT4401T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
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Description: DIODES INC. - MMBT4401T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)