MMBT4401T-7-F

MMBT4401T-7-F DIODES INC.


DIOD-S-A0005045570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT4401T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.79 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT4401T-7-F DIODES INC.

Description: DIODES INC. - MMBT4401T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT4401T-7-F за ціною від 3.69 грн до 23.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT4401T-7-F MMBT4401T-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0005045570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT4401T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+17.97 грн
74+11.16 грн
118+6.96 грн
500+4.79 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401T-7-F MMBT4401T-7-F Diodes Incorporated ds30272.pdf Bipolar Transistors - BJT 40V 150mW
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.96 грн
23+14.07 грн
100+7.60 грн
500+6.05 грн
1000+5.34 грн
3000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401T-7-F DIOD-S-A0005045570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT4401T-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT4401T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+17.97 грн
74+11.16 грн
118+6.96 грн
500+4.79 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4401T-7-F ds30272.pdf
MMBT4401T-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 40V 150mW
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.96 грн
23+14.07 грн
100+7.60 грн
500+6.05 грн
1000+5.34 грн
3000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.