MMBT4403LT3G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26786+ | 1.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT4403LT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT4403LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT4403LT3G за ціною від 0.72 грн до 12.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT4403LT3G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4403LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4403LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4403LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 13251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT4403LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4403LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 90520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4403LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4403LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 90520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4403LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT4403LT3G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V PNP |
на замовлення 4296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MMBT4403LT3G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 600mA; 225mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Current gain: 100 Mounting: SMD |
на замовлення 190000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBT4403LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |