MMBT4403WT1G

MMBT4403WT1G ON Semiconductor


mmbt4403wt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT4403WT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT4403WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MMBT4403WT1G за ціною від 1.03 грн до 11.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G Виробник : onsemi mmbt4403wt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.03 грн
6000+1.74 грн
9000+1.62 грн
15000+1.40 грн
21000+1.34 грн
30000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G Виробник : ONSEMI 1842037.pdf Description: ONSEMI - MMBT4403WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 15665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.70 грн
1500+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4403wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2445000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4403wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 44705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G Виробник : onsemi mmbt4403wt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 30863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.32 грн
50+6.12 грн
100+3.77 грн
500+2.56 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G Виробник : onsemi mmbt4403wt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V PNP
на замовлення 20783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
33+10.62 грн
58+5.82 грн
130+2.28 грн
1000+2.05 грн
3000+1.47 грн
9000+1.17 грн
48000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G Виробник : ONSEMI 1842037.pdf Description: ONSEMI - MMBT4403WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 15665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+11.03 грн
121+6.84 грн
194+4.25 грн
500+2.70 грн
1500+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4403wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4403WT1G mmbt4403wt1-d.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4403wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4403wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.