MMBT4403WT1G ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT4403WT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT4403WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT4403WT1G за ціною від 1.28 грн до 11.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT4403WT1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP 40V 0.6A SC70-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT4403WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2445000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT4403WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 44705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT4403WT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4403WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT4403WT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 28827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT4403WT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V PNP |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT4403WT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4403WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMBT4403WT1G |
|
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
MMBT4403WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT4403WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |