Продукція > ONSEMI > MMBT489LT1G
MMBT489LT1G

MMBT489LT1G onsemi

mmbt489lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Power - Max: 710 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.09 грн
6000+7.08 грн
9000+6.71 грн
15000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT489LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT489LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT489LT1G за ціною від 8.64 грн до 39.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT489LT1G MMBT489LT1G onsemi mmbt489lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Power - Max: 710 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.76 грн
14+21.69 грн
100+13.76 грн
500+9.68 грн
1000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT489LT1G MMBT489LT1G ON Semiconductor mmbt489lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.17 грн
28+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT489LT1G MMBT489LT1G onsemi mmbt489lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 50V NPN
на замовлення 7841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT489LT1G MMBT489LT1G ONSEMI 2354448.pdf Description: ONSEMI - MMBT489LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT489LT1G MMBT489LT1G ONSEMI 2354448.pdf Description: ONSEMI - MMBT489LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT489LT1G ONN mmbt489lt1-d.pdf
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT489LT1G mmbt489lt1-d.pdf
MMBT489LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Power - Max: 710 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.76 грн
14+21.69 грн
100+13.76 грн
500+9.68 грн
1000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT489LT1G mmbt489lt1-d.pdf
MMBT489LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+39.17 грн
28+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT489LT1G mmbt489lt1-d.pdf
MMBT489LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 50V NPN
на замовлення 7841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT489LT1G 2354448.pdf
MMBT489LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT489LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT489LT1G 2354448.pdf
MMBT489LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT489LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT489LT1G mmbt489lt1-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.