Продукція > ONSEMI > MMBT489LT1G
MMBT489LT1G

MMBT489LT1G onsemi

mmbt489lt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 710 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.57 грн
6000+7.49 грн
9000+7.11 грн
15000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT489LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT489LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT489LT1G за ціною від 6.05 грн до 38.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT489LT1G MMBT489LT1G Виробник : ONSEMI 2354448.pdf Description: ONSEMI - MMBT489LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.37 грн
500+10.68 грн
1500+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT489LT1G MMBT489LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt489lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.90 грн
28+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT489LT1G MMBT489LT1G Виробник : ONSEMI 2354448.pdf Description: ONSEMI - MMBT489LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.53 грн
50+21.12 грн
100+15.37 грн
500+10.68 грн
1500+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT489LT1G MMBT489LT1G Виробник : onsemi MMBT489LT1_D-2316017.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 50V NPN
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.22 грн
16+23.42 грн
100+10.26 грн
1000+8.57 грн
3000+6.89 грн
9000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT489LT1G MMBT489LT1G Виробник : onsemi mmbt489lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 710 mW
на замовлення 16966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.92 грн
14+22.96 грн
100+14.57 грн
500+10.25 грн
1000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT489LT1G MMBT489LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt489lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT489LT1G MMBT489LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt489lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT489LT1G MMBT489LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C1195A212DA0CE&compId=MMBT489LT1G.PDF?ci_sign=6da66de0c837918594472ee426b58174fb3c5303 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31/0.71W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 300...900
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.