Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5087LT1G
MMBT5087LT1G

MMBT5087LT1G ON Semiconductor

mmbt5087lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5087LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBT5087LT1G за ціною від 1.09 грн до 14.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.90 грн
6000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5953+2.05 грн
8671+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 5953
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.11 грн
6000+1.35 грн
9000+1.30 грн
15000+1.25 грн
21000+1.14 грн
30000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14085+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 14085
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5282+2.31 грн
8197+1.49 грн
9000+1.42 грн
15000+1.36 грн
21000+1.25 грн
30000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 5282
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5155+2.37 грн
9000+2.18 грн
27000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 5155
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.79 грн
6000+2.39 грн
9000+2.24 грн
15000+1.95 грн
21000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ONSEMI 1910536.pdf Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.84 грн
1500+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3319+3.68 грн
3341+3.65 грн
3769+3.24 грн
4144+2.84 грн
6000+2.37 грн
15000+2.02 грн
30000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3319
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+10.65 грн
91+6.71 грн
92+6.61 грн
175+3.34 грн
250+3.05 грн
500+2.91 грн
1000+2.58 грн
3000+2.34 грн
6000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5087lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...800
Collector current: 50mA
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+10.73 грн
40+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5087lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...800
Collector current: 50mA
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
24+12.87 грн
38+7.54 грн
50+5.52 грн
75+4.88 грн
100+4.59 грн
498+2.15 грн
1369+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G
Код товару: 175250
Додати до обраних Обраний товар

mmbt5087lt1-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 22666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.53 грн
38+8.28 грн
100+5.10 грн
500+3.48 грн
1000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP
на замовлення 72408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.68 грн
45+7.61 грн
100+3.53 грн
1000+3.16 грн
3000+1.99 грн
9000+1.69 грн
45000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5087lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+14.77 грн
90+9.24 грн
144+5.74 грн
500+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.