Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBT5087LT1G

MMBT5087LT1G

mmbt5087lt1-d.pdf
Код товару: 175250
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBT5087LT1G за ціною від 1.59 грн до 15.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 178533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.44 грн
6000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5377+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 5377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.70 грн
6000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5245+2.70 грн
6000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 5245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI 1910536.pdf Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.46 грн
150+5.39 грн
500+3.70 грн
1500+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 61979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1473+9.63 грн
2287+6.20 грн
3043+4.66 грн
3659+3.74 грн
5495+2.30 грн
6000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 1473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI mmbt5087lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
на замовлення 459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.63 грн
58+7.23 грн
82+5.09 грн
100+4.37 грн
250+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 178646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.20 грн
39+7.70 грн
100+4.73 грн
500+3.23 грн
1000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI 1910536.pdf Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+14.01 грн
96+8.46 грн
150+5.39 грн
500+3.70 грн
1500+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.22 грн
39+8.26 грн
100+4.63 грн
500+3.66 грн
1000+3.24 грн
3000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 178533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.44 грн
6000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5377+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 5377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.70 грн
6000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5245+2.70 грн
6000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 5245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G 1910536.pdf
MMBT5087LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+8.46 грн
150+5.39 грн
500+3.70 грн
1500+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 61979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1473+9.63 грн
2287+6.20 грн
3043+4.66 грн
3659+3.74 грн
5495+2.30 грн
6000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 1473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
на замовлення 459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
39+11.63 грн
58+7.23 грн
82+5.09 грн
100+4.37 грн
250+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 178646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.20 грн
39+7.70 грн
100+4.73 грн
500+3.23 грн
1000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G 1910536.pdf
MMBT5087LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
58+14.01 грн
96+8.46 грн
150+5.39 грн
500+3.70 грн
1500+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
22+15.22 грн
39+8.26 грн
100+4.63 грн
500+3.66 грн
1000+3.24 грн
3000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

KIRLML5203TRPBF
Код товару: 185651
1 Додати до обраних Обраний товар
2109011630_KUU-KIRLML5203TRPBF_C2891688.pdf
KIRLML5203TRPBF
Виробник: KUU
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 A
Rds(on),Om: 98 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9,5
Монтаж: SMD
у наявності: 733 шт
  • 535 шт - склад
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 143 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 36 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 50V SMD (CK1H107M08010VR259, CK1H107M08010VR200 - Samwha)
Код товару: 98901
3 Додати до обраних Обраний товар
100uF 50V SMD (CK1H107M08010VR259, CK1H107M08010VR200 - Samwha)
Виробник: Samwha
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: CK-SMD низькоімпедансні
Темп.діапазон: -55...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size F
Макс.пульс.струм: 670mA
у наявності: 11111 шт
  • 10653 шт - склад
  • 31 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 102 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 303 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
4+5.00 грн
10+4.00 грн
100+3.50 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10uF 25V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B106KAHNNNE – Samsung)
Код товару: 72199
5 Додати до обраних Обраний товар
10uF 25V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B106KAHNNNE – Samsung)
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 9065 шт
  • 5686 шт - склад
  • 2410 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 901 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 68 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
7+3.00 грн
10+2.00 грн
100+1.90 грн
1000+1.70 грн
10000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCL103С ( BAS385)
Код товару: 50342
Додати до обраних Обраний товар
mcl103c-datasheet.pdf
MCL103С ( BAS385)
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: MicroMELF
Зворотня напруга, Vrrm: 20 V
Прямий струм (per leg), If: 0,2 A
Падіння напруги, Vf: 0,37 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 15 A
у наявності: 167 шт
  • 147 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна
5+4.50 грн
10+3.90 грн
100+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE400CA
Код товару: 18274
1 Додати до обраних Обраний товар
1.5KE_CA.pdf
1.5KE400CA
Виробник: YJ/GS
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 400 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 342 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 323 шт
  • 225 шт - склад
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 38 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
2+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.00 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.