 
MMBT5087LT1G ON Semiconductor
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 1.52 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5087LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції MMBT5087LT1G за ціною від 1.33 грн до 14.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 225000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 225000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 24626 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 61979 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |  Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of transistor: PNP Case: SOT23; TO236AB Collector current: 50mA Power dissipation: 0.25W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 250...800 Frequency: 40MHz | на замовлення 2028 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |  Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of transistor: PNP Case: SOT23; TO236AB Collector current: 50mA Power dissipation: 0.25W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 250...800 Frequency: 40MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2028 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
| MMBT5087LT1G Код товару: 175250 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
|   | MMBT5087LT1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 3156 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5087LT1G | Виробник : onsemi |  Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP | на замовлення 30717 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 23476 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
|   | MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | MMBT5087LT1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності |