Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5087LT1G
MMBT5087LT1G

MMBT5087LT1G ON Semiconductor

mmbt5087lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5087LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT5087LT1G за ціною від 1.36 грн до 15.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15874+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 15874
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 54975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9412+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 9412
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5377+2.35 грн
9000+2.12 грн
27000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 5377
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5377+2.35 грн
6000+2.18 грн
9000+2.11 грн
24000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 5377
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.52 грн
6000+2.34 грн
9000+2.26 грн
24000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4717+2.68 грн
7693+1.64 грн
9000+1.63 грн
15000+1.49 грн
21000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 4717
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.88 грн
6000+1.77 грн
9000+1.74 грн
15000+1.60 грн
21000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ONSEMI 1910536.pdf Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.18 грн
1500+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 61979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1836+6.89 грн
2874+4.40 грн
5000+3.37 грн
6000+2.47 грн
24000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 1836
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : onsemi MMBT5087LT1_D-1811711.pdf Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP
на замовлення 30717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+14.44 грн
45+8.17 грн
100+4.63 грн
500+3.51 грн
1000+3.03 грн
3000+2.24 грн
6000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G
Код товару: 175250
Додати до обраних Обраний товар

mmbt5087lt1-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ONSEMI 1910536.pdf Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+15.68 грн
100+9.05 грн
153+5.87 грн
500+4.14 грн
1500+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5087lt1-d.pdf MMBT5087LT1G PNP SMD transistors
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.31 грн
500+2.38 грн
1375+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.