MMBT5087LT1G ON Semiconductor
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15874+ | 2.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5087LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT5087LT1G за ціною від 1.27 грн до 14.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBT5087LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 228000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 24626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 61979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT5087LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 229677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBT5087LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP |
на замовлення 30717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 23476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
MMBT5087LT1G Код товару: 175250
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |