MMBT5087LT1G


mmbt5087lt1-d.pdf
Код товару: 175250
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBT5087LT1G за ціною від 2.16 грн до 14.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.52 грн
6000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.69 грн
6000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5245+2.69 грн
6000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 5245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI mmbt5087lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 250...800
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector current: 50mA
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.62 грн
53+7.95 грн
77+5.46 грн
100+4.61 грн
250+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.08 грн
39+7.91 грн
100+4.88 грн
500+3.33 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI 1910536.pdf Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI 1910536.pdf Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.52 грн
6000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.69 грн
6000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5245+2.69 грн
6000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 5245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 250...800
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector current: 50mA
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.62 грн
53+7.95 грн
77+5.46 грн
100+4.61 грн
250+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.08 грн
39+7.91 грн
100+4.88 грн
500+3.33 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G 1910536.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5087LT1G 1910536.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

KIRLML5203TRPBF
Код товару: 185651
1 Додати до обраних Обраний товар
2109011630_KUU-KIRLML5203TRPBF_C2891688.pdf
Виробник: KUU
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 98 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 510/9,5
Монтаж: SMD
у наявності: 719 шт
  • 528 шт - склад
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 143 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 50V SMD (CK1H107M08010VR259, CK1H107M08010VR200 - Samwha)
Код товару: 98901
3 Додати до обраних Обраний товар
Виробник: Samwha
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 100 мкФ
Номінальна напруга: 50 В
Серія: CK, SMD низькоімпедансні
Температурний діапазон: -55...+105°С
Типорозмір, габарити: SMD size F
Макс. пульсуючий струм: 670 мА
у наявності: 10881 шт
  • 10428 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 102 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 299 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+4.00 грн
100+3.50 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10uF 25V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B106KAHNNNE – Samsung)
Код товару: 72199
5 Додати до обраних Обраний товар
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 мкФ
Номін.напруга: 25 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
на замовлення: 2 шт
  • 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+10.00 грн
10+2.00 грн
100+1.90 грн
1000+1.70 грн
10000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCL103C (BAS385)
Код товару: 50342
1 Додати до обраних Обраний товар
mcl103c-datasheet.pdf
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: MicroMELF
Зворотна напруга Vrrm, В: 20 В
Прямий струм (per leg) If, А: 0,2 А
Падіння напруги Vf, В: 0,37 В
Примітка: P=0.4W, T=-65 to +125C
Монтаж: SMD
Імпульсний струм Ifsm, А: 15 А
у наявності: 167 шт
  • 147 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.50 грн
10+3.90 грн
100+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE400CA
Код товару: 18274
1 Додати до обраних Обраний товар
1.5KE_CA.pdf
Виробник: YJ/GS
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність, P, Вт: 1500 Вт
Напруга пробою, Vbr: 400 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 342 В
Струм витоку, Irm: 1 мкА
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
на замовлення: 92 шт
  • 92 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.00 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.