Інші пропозиції MMBT5087LT1G за ціною від 1.39 грн до 14.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5087LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 199900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 24626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 61979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of transistor: PNP Case: SOT23; TO236AB Collector current: 50mA Power dissipation: 0.25W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 250...800 Frequency: 40MHz |
на замовлення 1111 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5087LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP |
на замовлення 30717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5087LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 200632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 23476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
MMBT5087LT1G | Виробник : On Semiconductor |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 50mA 40MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| KIRLML5203TRPBF Код товару: 185651
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KUU
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 A
Rds(on),Om: 98 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9,5
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 A
Rds(on),Om: 98 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9,5
Монтаж: SMD
у наявності: 1253 шт
1035 шт - склад
39 шт - РАДІОМАГ-Київ
143 шт - РАДІОМАГ-Харків
36 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
39 шт - РАДІОМАГ-Київ
143 шт - РАДІОМАГ-Харків
36 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.15 грн |
| 100uF 50V SMD (CK1H107M08010VR259, CK1H107M08010VR200 - Samwha) Код товару: 98901
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Samwha
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: CK-SMD низькоімпедансні
Темп.діапазон: -55...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size F
Макс.пульс.струм: 670mA
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: CK-SMD низькоімпедансні
Темп.діапазон: -55...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size F
Макс.пульс.струм: 670mA
у наявності: 11160 шт
10693 шт - склад
36 шт - РАДІОМАГ-Київ
102 шт - РАДІОМАГ-Львів
307 шт - РАДІОМАГ-Харків
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
36 шт - РАДІОМАГ-Київ
102 шт - РАДІОМАГ-Львів
307 шт - РАДІОМАГ-Харків
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.50 грн |
| 100+ | 3.00 грн |
| 1000+ | 2.50 грн |
| 10uF 25V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B106KAHNNNE – Samsung) Код товару: 72199
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 10815 шт
7207 шт - склад
2490 шт - РАДІОМАГ-Київ
1001 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
111 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2490 шт - РАДІОМАГ-Київ
1001 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
111 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 1.90 грн |
| 1000+ | 1.70 грн |
| 10000+ | 1.50 грн |
| MCL103С ( BAS385) Код товару: 50342
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: MicroMELF
Зворотня напруга, Vrrm: 20 V
Прямий струм (per leg), If: 0,2 A
Падіння напруги, Vf: 0,37 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 15 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: MicroMELF
Зворотня напруга, Vrrm: 20 V
Прямий струм (per leg), If: 0,2 A
Падіння напруги, Vf: 0,37 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 15 A
у наявності: 169 шт
167 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 3.90 грн |
| 100+ | 3.30 грн |
| 1.5KE400CA Код товару: 18274
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/GS
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 400 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 342 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 400 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 342 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 335 шт
235 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
38 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
38 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 10.00 грн |
| 10+ | 9.00 грн |
| 100+ | 8.00 грн |
| 1000+ | 7.20 грн |











