MMBT5087LT1G ON Semiconductor
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5087LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MMBT5087LT1G за ціною від 1.29 грн до 16.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23 Frequency: 40MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 250...800 Collector current: 50mA Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 76557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP |
на замовлення 68807 шт: термін постачання 147-156 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23 Frequency: 40MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 250...800 Collector current: 50mA Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 346 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 58975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : On Semiconductor | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 50mA 40MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
на замовлення 73 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBT5087LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5087LT1G Код товару: 175250 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|