
MMBT5089LT1G ON Semiconductor
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
30000+ | 1.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5089LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBT5089LT1G за ціною від 1.34 грн до 15.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 807000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 807000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1233000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 54393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5089LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5089LT1G |
![]() |
на замовлення 2049 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5089LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Frequency: 50MHz Collector-emitter voltage: 25V Current gain: 400...1200 Collector current: 50mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
MMBT5089LT1G Код товару: 191280
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 54393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5089LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Frequency: 50MHz Collector-emitter voltage: 25V Current gain: 400...1200 Collector current: 50mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 499 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5089LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 53770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5089LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 423527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5089LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 69744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|