Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBT5089LT1G

MMBT5089LT1G

mmbt5088lt1-d.pdf
Код товару: 191280
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBT5089LT1G за ціною від 1.82 грн до 16.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G ON Semiconductor mmbt5088lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 639000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4077+3.46 грн
9000+3.32 грн
27000+3.22 грн
51000+3.03 грн
102000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 4077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G ON Semiconductor mmbt5088lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 44232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3887+3.63 грн
5245+2.69 грн
5906+2.39 грн
6073+2.24 грн
6250+2.02 грн
15000+1.88 грн
30000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 3887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013776941-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.76 грн
250+6.08 грн
1000+3.56 грн
13500+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G ON Semiconductor mmbt5088lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 44232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+9.95 грн
124+6.09 грн
133+5.68 грн
200+3.63 грн
250+3.24 грн
500+2.31 грн
1000+2.05 грн
3000+1.99 грн
6000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G onsemi mmbt5088lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.24 грн
37+8.38 грн
100+5.17 грн
500+3.54 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G onsemi mmbt5088lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN
на замовлення 87580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.51 грн
37+8.98 грн
100+4.85 грн
500+3.66 грн
1000+3.23 грн
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013776941-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+16.00 грн
85+9.76 грн
250+6.08 грн
1000+3.56 грн
13500+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5089LT1G mmbt5088lt1-d.pdf NPN 25V, 0.05A, general purpose transistor SOT-23-3
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
63+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5089LT1G mmbt5088lt1-d.pdf
MMBT5089LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 639000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4077+3.46 грн
9000+3.32 грн
27000+3.22 грн
51000+3.03 грн
102000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 4077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5089LT1G mmbt5088lt1-d.pdf
MMBT5089LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 44232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3887+3.63 грн
5245+2.69 грн
5906+2.39 грн
6073+2.24 грн
6250+2.02 грн
15000+1.88 грн
30000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 3887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5089LT1G ONSM-S-A0013776941-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT5089LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.76 грн
250+6.08 грн
1000+3.56 грн
13500+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5089LT1G mmbt5088lt1-d.pdf
MMBT5089LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 44232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
76+9.95 грн
124+6.09 грн
133+5.68 грн
200+3.63 грн
250+3.24 грн
500+2.31 грн
1000+2.05 грн
3000+1.99 грн
6000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5089LT1G mmbt5088lt1-d.pdf
MMBT5089LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.24 грн
37+8.38 грн
100+5.17 грн
500+3.54 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5089LT1G mmbt5088lt1-d.pdf
MMBT5089LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN
на замовлення 87580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
22+15.51 грн
37+8.98 грн
100+4.85 грн
500+3.66 грн
1000+3.23 грн
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5089LT1G ONSM-S-A0013776941-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT5089LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
52+16.00 грн
85+9.76 грн
250+6.08 грн
1000+3.56 грн
13500+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5089LT1G mmbt5088lt1-d.pdf
NPN 25V, 0.05A, general purpose transistor SOT-23-3
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
63+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.