MMBT5089LT1G ON Semiconductor
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30000+ | 1.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5089LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT5089LT1G за ціною від 1.61 грн до 15.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 54393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 387000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 387000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT5089LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT5089LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 49734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT5089LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN |
на замовлення 359758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5089LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 49734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5089LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 69744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 54393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G |
NPN 25V, 0.05A, general purpose transistor SOT-23-3 |
на замовлення 2049 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G | Виробник : ONSEMI |
MMBT5089LT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 303 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
MMBT5089LT1G Код товару: 191280
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|