Інші пропозиції MMBT5089LT1G за ціною від 2.27 грн до 17.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT5089LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5089LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5089LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5089LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 630000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5089LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 400...1200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5089LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 114193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5089LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5089LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN |
на замовлення 189434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MMBT5089LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 36808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MMBT5089LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 36808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MMBT5089LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 261 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G |
NPN 25V, 0.05A, general purpose transistor SOT-23-3 |
на замовлення 2049 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| MMBT5089LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.64 грн |
| 6000+ | 2.27 грн |
| MMBT5089LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30000+ | 3.22 грн |
| MMBT5089LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30000+ | 3.22 грн |
| MMBT5089LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 630000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4077+ | 3.46 грн |
| 9000+ | 3.32 грн |
| 27000+ | 3.22 грн |
| 51000+ | 3.03 грн |
| 102000+ | 2.80 грн |
| MMBT5089LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 400...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 400...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 13.36 грн |
| 43+ | 9.76 грн |
| 50+ | 8.36 грн |
| 71+ | 5.84 грн |
| 100+ | 4.98 грн |
| 250+ | 4.05 грн |
| 500+ | 3.49 грн |
| 1000+ | 3.01 грн |
| 3000+ | 2.42 грн |
| MMBT5089LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 114193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 13.92 грн |
| 37+ | 8.26 грн |
| 100+ | 5.10 грн |
| 500+ | 3.49 грн |
| 1000+ | 3.07 грн |
| MMBT5089LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 17.66 грн |
| 66+ | 11.48 грн |
| 72+ | 10.46 грн |
| 106+ | 6.86 грн |
| 250+ | 5.98 грн |
| 500+ | 4.27 грн |
| 1000+ | 2.39 грн |
| MMBT5089LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN
Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN
на замовлення 189434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MMBT5089LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 36808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT5089LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 36808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT5089LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT5089LT1G |
![]() |
NPN 25V, 0.05A, general purpose transistor SOT-23-3
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 7.88 грн |







