
MMBT5401. ONSEMI

Description: ONSEMI - MMBT5401. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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Технічний опис MMBT5401. ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5401. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT5401.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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MMBT5401. | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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