MMBT5401LT3G ON Semiconductor
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 1.49 грн |
| 30000+ | 1.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5401LT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT5401LT3G за ціною від 1.22 грн до 13.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBT5401LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5401LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 43279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5401LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 9157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5401LT3G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 160V PNP |
на замовлення 651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 43279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MMBT5401LT3G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
MMBT5401LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |