Продукція > ONSEMI > MMBT5401LT3G
MMBT5401LT3G

MMBT5401LT3G onsemi


mmbt5401lt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.72 грн
30000+ 1.54 грн
50000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5401LT3G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT5401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT5401LT3G за ціною від 1.4 грн до 14.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G Виробник : ONSEMI 2355038.pdf Description: ONSEMI - MMBT5401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.7 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G Виробник : onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 84081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13 грн
33+ 8.48 грн
100+ 4.57 грн
500+ 3.36 грн
1000+ 2.34 грн
2000+ 1.94 грн
5000+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 23
MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G Виробник : onsemi MMBT5401LT1_D-2316019.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 160V PNP
на замовлення 39641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+13.01 грн
33+ 9.37 грн
100+ 3.2 грн
1000+ 2.07 грн
2500+ 1.8 грн
10000+ 1.54 грн
20000+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 24
MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G Виробник : ONSEMI 2355038.pdf Description: ONSEMI - MMBT5401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
52+14.68 грн
71+ 10.63 грн
185+ 4.07 грн
500+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 52
MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній