Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5401LT3G
MMBT5401LT3G

MMBT5401LT3G ON Semiconductor

mmbt5401lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+1.70 грн
30000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5401LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT5401LT3G за ціною від 1.56 грн до 14.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.80 грн
20000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2573+5.50 грн
3410+4.15 грн
4374+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 2573 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 31855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.10 грн
44+6.95 грн
100+4.27 грн
500+2.91 грн
1000+2.55 грн
2000+2.25 грн
5000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 160V PNP
на замовлення 24061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+12.01 грн
44+7.46 грн
100+4.02 грн
500+2.89 грн
1000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G ONSEMI 2355038.pdf Description: ONSEMI - MMBT5401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 38978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+12.83 грн
102+8.09 грн
250+5.05 грн
1000+2.60 грн
5000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G ONSEMI 2355038.pdf Description: ONSEMI - MMBT5401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 38978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.83 грн
102+8.09 грн
250+5.05 грн
1000+2.60 грн
5000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.38 грн
75+10.09 грн
81+9.32 грн
131+5.56 грн
250+4.91 грн
500+3.56 грн
1000+2.77 грн
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401LT3G mmbt5401lt1-d.pdf
MMBT5401LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+1.80 грн
20000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401LT3G mmbt5401lt1-d.pdf
MMBT5401LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2573+5.50 грн
3410+4.15 грн
4374+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 2573 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401LT3G mmbt5401lt1-d.pdf
MMBT5401LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 31855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.10 грн
44+6.95 грн
100+4.27 грн
500+2.91 грн
1000+2.55 грн
2000+2.25 грн
5000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401LT3G mmbt5401lt1-d.pdf
MMBT5401LT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 160V PNP
на замовлення 24061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
28+12.01 грн
44+7.46 грн
100+4.02 грн
500+2.89 грн
1000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401LT3G 2355038.pdf
MMBT5401LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 38978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
65+12.83 грн
102+8.09 грн
250+5.05 грн
1000+2.60 грн
5000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401LT3G 2355038.pdf
MMBT5401LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 38978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+12.83 грн
102+8.09 грн
250+5.05 грн
1000+2.60 грн
5000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401LT3G mmbt5401lt1-d.pdf
MMBT5401LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
53+14.38 грн
75+10.09 грн
81+9.32 грн
131+5.56 грн
250+4.91 грн
500+3.56 грн
1000+2.77 грн
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.