MMBT5401WT1G ON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5401WT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT5401WT1G за ціною від 3.13 грн до 24.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT5401WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 13550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBT5401WT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 400 mW |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 13550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBT5401WT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT High Voltage PNP Bipolar Transistor |
на замовлення 8225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401WT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 400 mW |
на замовлення 63686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMBT5401WT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401WT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
MMBT5401WT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| MMBT5401WT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.2W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 60...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товару немає в наявності |