Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5401WT1G
MMBT5401WT1G

MMBT5401WT1G ON Semiconductor

mmbt5401w-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1316+10.58 грн
1329+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 1316
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5401WT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT5401WT1G за ціною від 4.81 грн до 27.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : onsemi mmbt5401w-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.64 грн
23+13.30 грн
100+8.31 грн
500+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : ONSEMI 2729151.pdf Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+23.88 грн
59+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : onsemi mmbt5401w-d.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.47 грн
19+16.84 грн
100+9.23 грн
500+6.31 грн
1000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5401w-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+27.58 грн
45+16.71 грн
48+15.74 грн
100+10.20 грн
250+9.36 грн
500+7.16 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5401w-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5401w-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : ONSEMI 2729151.pdf Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5401w-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : onsemi mmbt5401w-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 400 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401WT1G Виробник : ONSEMI mmbt5401w-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.