Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5401WT1G
MMBT5401WT1G

MMBT5401WT1G ON Semiconductor

mmbt5401w-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5401WT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MMBT5401WT1G за ціною від 2.98 грн до 23.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : onsemi mmbt5401w-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.69 грн
6000+4.06 грн
9000+3.84 грн
15000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5401w-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2547+4.78 грн
2573+4.73 грн
3119+3.90 грн
3165+3.71 грн
3206+3.39 грн
6000+3.21 грн
15000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 2547
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : ONSEMI 2729151.pdf Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5401w-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+12.21 грн
85+7.12 грн
86+7.05 грн
136+4.28 грн
250+3.92 грн
500+3.11 грн
1000+3.06 грн
3000+3.02 грн
6000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : onsemi mmbt5401w-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 18959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.23 грн
24+13.15 грн
100+8.25 грн
500+5.72 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : ONSEMI 2729151.pdf Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+23.55 грн
59+14.08 грн
100+8.64 грн
500+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : onsemi MMBT5401W_D-1387723.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
на замовлення 8529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.63 грн
25+13.84 грн
100+7.56 грн
500+6.24 грн
1000+5.28 грн
3000+4.55 грн
6000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5401w-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5401w-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5401w-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.