Технічний опис MMBT5401WT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 400mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT5401WT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT5401WT1G | onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
на замовлення 20695 шт: термін постачання 378-387 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
MMBT5401WT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MMBT5401WT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 37 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MMBT5401WT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. |
| MMBT5401WT1G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
на замовлення 20695 шт:
термін постачання 378-387 дні (днів)
| MMBT5401WT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT5401WT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT5401WT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)