Продукція > NS > MMBT5550

MMBT5550 NS

MMBT5550.pdf Виробник: NS

на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5550 NS

Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 350 mW.

Інші пропозиції MMBT5550

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5550 MMBT5550 Виробник : Rectron mmbt5550.pdf SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(NPN)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550 MMBT5550 Виробник : ON Semiconductor 3649209816103447mmbt5550.pdf Low Noise Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550 MMBT5550 Виробник : onsemi MMBT5550.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550 MMBT5550 Виробник : onsemi MMBT5550.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550 MMBT5550 Виробник : Rectron mmbt5550-1396248.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23 NPN 0.6A 160V HighVolt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.