Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5550LT1G
MMBT5550LT1G

MMBT5550LT1G ON Semiconductor

mmbt5550lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5550LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT5550LT1G за ціною від 0.99 грн до 11.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23256+1.34 грн
100000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 23256
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 101000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23256+1.34 грн
100000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 23256
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7979+1.56 грн
12000+1.40 грн
27000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 7979
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ONSEMI 2353991.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6638+1.88 грн
10564+1.18 грн
15000+1.17 грн
21000+1.11 грн
30000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 6638
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.01 грн
6000+1.71 грн
9000+1.60 грн
15000+1.39 грн
21000+1.32 грн
30000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6173+2.02 грн
7143+1.75 грн
9000+1.48 грн
24000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 6173
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6049+2.06 грн
6977+1.79 грн
9000+1.50 грн
24000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 6049
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.16 грн
6000+1.87 грн
9000+1.58 грн
24000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.22 грн
6000+1.91 грн
9000+1.62 грн
24000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ONSEMI 2353991.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 63571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.84 грн
1500+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 37275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.87 грн
53+6.02 грн
100+3.72 грн
500+2.53 грн
1000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : onsemi MMBT5550LT1_D-1811686.pdf Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.64 грн
54+6.56 грн
100+3.50 грн
500+2.51 грн
1000+2.13 грн
3000+1.67 грн
6000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 62697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+11.68 грн
118+7.25 грн
194+4.41 грн
500+2.94 грн
1500+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5500 TMMBT5550
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf MMBT5550LT1G NPN SMD transistors
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.66 грн
715+1.57 грн
1964+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.