Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5550LT1G
MMBT5550LT1G

MMBT5550LT1G ON Semiconductor

mmbt5550lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5550LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBT5550LT1G за ціною від 0.80 грн до 10.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30000+1.32 грн
60000+1.30 грн
120000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.58 грн
6000+1.42 грн
9000+1.28 грн
15000+1.10 грн
21000+0.88 грн
30000+0.81 грн
75000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ONSEMI 2353991.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.65 грн
9000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7143+1.70 грн
7937+1.53 грн
9000+1.38 грн
15000+1.18 грн
21000+0.95 грн
30000+0.87 грн
75000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 7143
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.10 грн
6000+1.80 грн
9000+1.68 грн
15000+1.45 грн
21000+1.38 грн
30000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ONSEMI 2353991.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 65881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.14 грн
1500+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14085+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 14085
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ONSEMI 2353991.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 65881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
164+5.02 грн
213+3.87 грн
313+2.63 грн
500+2.14 грн
1500+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 140V
Current gain: 60...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.23 грн
80+4.82 грн
121+3.18 грн
143+2.68 грн
722+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : onsemi MMBT5550LT1_D-1811686.pdf Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
на замовлення 89522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.76 грн
58+5.82 грн
130+2.28 грн
1000+2.05 грн
3000+1.47 грн
9000+1.17 грн
24000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 140V
Current gain: 60...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+9.88 грн
48+6.00 грн
73+3.82 грн
100+3.22 грн
722+1.51 грн
1985+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 50005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.32 грн
49+6.35 грн
100+3.90 грн
500+2.65 грн
1000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5500 TMMBT5550
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.