 
MMBT5550LT1G ON Semiconductor
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 1.08 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5550LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції MMBT5550LT1G за ціною від 0.99 грн до 11.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | MMBT5550LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 102000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5550LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 101000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5550LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5550LT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5550LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5550LT1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 36000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5550LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 303000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5550LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 144000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5550LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 303000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5550LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 144000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5550LT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 63571 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5550LT1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 37275 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5550LT1G | Виробник : onsemi |  Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V | на замовлення 6331 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | MMBT5550LT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 62697 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
| MMBT5550LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |  Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23  MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5500 TMMBT5550 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 2500 шт:термін постачання 28-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||
| MMBT5550LT1G | Виробник : ONSEMI |  MMBT5550LT1G NPN SMD transistors | на замовлення 2318 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||
|   | MMBT5550LT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності |