Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5550LT1G
MMBT5550LT1G

MMBT5550LT1G ON Semiconductor

mmbt5550lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5550LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT5550LT1G за ціною від 0.97 грн до 11.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ONSEMI 2353991.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6638+1.82 грн
10564+1.15 грн
15000+1.14 грн
21000+1.08 грн
30000+0.97 грн
Мінімальне замовлення: 6638
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.96 грн
6000+1.24 грн
15000+1.23 грн
21000+1.16 грн
30000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.99 грн
6000+1.71 грн
9000+1.59 грн
15000+1.38 грн
21000+1.31 грн
30000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5282+2.29 грн
12000+1.57 грн
27000+1.53 грн
51000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 5282
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
100000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 101000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
100000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ONSEMI 2353991.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 63571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.82 грн
1500+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.48 грн
67+5.91 грн
97+4.06 грн
115+3.43 грн
500+2.34 грн
711+1.30 грн
1952+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 37275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.82 грн
53+5.99 грн
100+3.70 грн
500+2.51 грн
1000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.18 грн
40+7.36 грн
59+4.88 грн
100+4.11 грн
500+2.81 грн
711+1.56 грн
1952+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : onsemi MMBT5550LT1_D-1811686.pdf Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.59 грн
54+6.52 грн
100+3.48 грн
500+2.50 грн
1000+2.12 грн
3000+1.66 грн
6000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 62697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+11.62 грн
118+7.21 грн
194+4.39 грн
500+2.92 грн
1500+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5500 TMMBT5550
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.