Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5550LT1G
MMBT5550LT1G

MMBT5550LT1G ON Semiconductor

mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5550LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT5550LT1G за ціною від 1.33 грн до 9.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5556+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 5556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7018+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 7018 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 101000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11858+2.97 грн
100000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 11858 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11858+2.97 грн
100000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 11858 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 7788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.91 грн
70+6.02 грн
102+4.12 грн
120+3.49 грн
500+2.43 грн
1000+2.10 грн
1500+1.93 грн
3000+1.69 грн
6000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
на замовлення 70312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ONSEMI 2353991.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ONSEMI 2353991.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ONSEMI 2353991.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G ON-Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5500 TMMBT5550
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5556+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 5556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7018+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 7018 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 101000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11858+2.97 грн
100000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 11858 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11858+2.97 грн
100000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 11858 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 7788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.91 грн
70+6.02 грн
102+4.12 грн
120+3.49 грн
500+2.43 грн
1000+2.10 грн
1500+1.93 грн
3000+1.69 грн
6000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
на замовлення 70312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G 2353991.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G 2353991.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G 2353991.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5500 TMMBT5550
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.