Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5550LT1G
MMBT5550LT1G

MMBT5550LT1G ON Semiconductor

mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 101000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23256+1.51 грн
100000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 23256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5550LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT5550LT1G за ціною від 1.13 грн до 2.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23256+1.51 грн
100000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 23256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7979+1.77 грн
12000+1.59 грн
27000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 7979 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6638+2.13 грн
10564+1.34 грн
15000+1.33 грн
21000+1.26 грн
30000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.29 грн
6000+1.98 грн
9000+1.67 грн
24000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6173+2.29 грн
7143+1.98 грн
9000+1.67 грн
24000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 6173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6049+2.33 грн
6977+2.02 грн
9000+1.70 грн
24000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 6049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.34 грн
6000+2.02 грн
9000+1.71 грн
24000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
на замовлення 209000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7018+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 7018 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G onsemi MMBT5550LT1_D-1811686.pdf Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ONSEMI 2353991.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ONSEMI 2353991.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ONSEMI 2353991.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G ON-Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5500 TMMBT5550
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23256+1.51 грн
100000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 23256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7979+1.77 грн
12000+1.59 грн
27000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 7979 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6638+2.13 грн
10564+1.34 грн
15000+1.33 грн
21000+1.26 грн
30000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.29 грн
6000+1.98 грн
9000+1.67 грн
24000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6173+2.29 грн
7143+1.98 грн
9000+1.67 грн
24000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 6173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6049+2.33 грн
6977+2.02 грн
9000+1.70 грн
24000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 6049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.34 грн
6000+2.02 грн
9000+1.71 грн
24000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
на замовлення 209000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7018+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 7018 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1_D-1811686.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G 2353991.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G 2353991.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G 2353991.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5500 TMMBT5550
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.