Продукція > ONSEMI > MMBT5550LT1G
MMBT5550LT1G

MMBT5550LT1G onsemi

mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.89 грн
6000+1.62 грн
9000+1.51 грн
15000+1.31 грн
21000+1.24 грн
30000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5550LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT5550LT1G за ціною від 1.24 грн до 11.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 37275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.30 грн
53+5.67 грн
100+3.51 грн
500+2.38 грн
1000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G onsemi MMBT5550LT1_D-1811686.pdf Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.64 грн
54+5.94 грн
100+3.17 грн
500+2.27 грн
1000+1.93 грн
3000+1.52 грн
6000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+11.17 грн
117+6.87 грн
187+4.32 грн
500+2.90 грн
1500+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G ON-Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5500 TMMBT5550
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 37275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
34+9.30 грн
53+5.67 грн
100+3.51 грн
500+2.38 грн
1000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1_D-1811686.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
34+9.64 грн
54+5.94 грн
100+3.17 грн
500+2.27 грн
1000+1.93 грн
3000+1.52 грн
6000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5550LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
72+11.17 грн
117+6.87 грн
187+4.32 грн
500+2.90 грн
1500+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5500 TMMBT5550
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.