MMBT5550LT3G

MMBT5550LT3G ON Semiconductor


mmbt5550lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 280000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5550LT3G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 225 mW.

Інші пропозиції MMBT5550LT3G за ціною від 1.03 грн до 13.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5550LT3G MMBT5550LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3G MMBT5550LT3G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.11 грн
20000+1.83 грн
30000+1.73 грн
50000+1.52 грн
70000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3G MMBT5550LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3G MMBT5550LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3G MMBT5550LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+5.71 грн
233+3.19 грн
236+3.15 грн
399+1.80 грн
415+1.60 грн
527+1.21 грн
1000+1.12 грн
3000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3G MMBT5550LT3G Виробник : onsemi MMBT5550LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+8.44 грн
61+5.33 грн
100+2.81 грн
500+2.11 грн
1000+1.76 грн
2500+1.54 грн
10000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3G MMBT5550LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+13.35 грн
100+7.43 грн
171+4.36 грн
500+3.18 грн
1000+2.63 грн
2000+2.18 грн
5000+2.01 грн
10000+1.91 грн
20000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3G MMBT5550LT3G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 73481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.43 грн
41+7.53 грн
100+4.68 грн
500+3.20 грн
1000+2.81 грн
2000+2.48 грн
5000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3G MMBT5550LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3G MMBT5550LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809745-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMBT5550LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16556+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 16556
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3G MMBT5550LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.