MMBT5551-7-F
  • MMBT5551-7-F
  • MMBT5551-7-F

MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED


MMBT5551.pdf Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 300MHz
на замовлення 1154 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.75 грн
55+7.65 грн
85+4.94 грн
103+4.05 грн
500+2.64 грн
1000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT5551-7-F за ціною від 0.86 грн до 15.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5551-7-F
+1
MMBT5551-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.90 грн
33+9.54 грн
51+5.93 грн
100+4.86 грн
500+3.16 грн
1000+2.71 грн
3000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12712+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 12712
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Inc 1308ds30061.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 471000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+2.32 грн
9000+2.13 грн
15000+2.01 грн
21000+1.84 грн
30000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.69 грн
6000+2.31 грн
9000+2.17 грн
15000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4167+3.03 грн
6000+2.76 грн
9000+2.45 грн
15000+2.31 грн
21000+2.04 грн
30000+1.43 грн
75000+1.42 грн
150000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 4167
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : DIODES INC. DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.14 грн
6000+2.90 грн
9000+2.53 грн
15000+2.43 грн
21000+2.14 грн
30000+1.48 грн
75000+1.46 грн
150000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.25 грн
6000+2.95 грн
9000+2.63 грн
15000+2.47 грн
21000+2.18 грн
30000+1.53 грн
75000+1.52 грн
150000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3433+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 3433
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
184+3.95 грн
3000+3.14 грн
6000+2.90 грн
9000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 184
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : DIODES INC. DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.14 грн
1500+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 16459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.96 грн
42+7.99 грн
100+4.92 грн
500+3.36 грн
1000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Bipolar Transistors - BJT SS NPN 300mW
на замовлення 56002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+14.44 грн
42+8.91 грн
100+4.79 грн
500+3.51 грн
1000+3.11 грн
3000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : DIODES INC. DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+15.68 грн
91+9.85 грн
147+6.12 грн
500+4.14 грн
1500+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F Виробник : DIODES/ZETEX MMBT5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBT5551-7-F TMMBT5551-7-F Diodes
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.