MMBT5551-7-F
  • MMBT5551-7-F
  • MMBT5551-7-F

MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED


MMBT5551.pdf Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 2938 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.49 грн
46+8.51 грн
57+6.80 грн
101+3.85 грн
128+3.04 грн
629+1.44 грн
1727+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT5551-7-F за ціною від 0.83 грн до 14.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5551-7-F
+1
MMBT5551-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+14.99 грн
28+10.60 грн
35+8.17 грн
61+4.62 грн
100+3.65 грн
629+1.73 грн
1727+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Inc 1308ds30061.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 471000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5580000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.43 грн
6000+2.15 грн
9000+1.88 грн
15000+1.24 грн
21000+0.89 грн
30000+0.85 грн
75000+0.84 грн
150000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1555+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 1555
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.59 грн
6000+2.23 грн
9000+2.09 грн
15000+1.81 грн
21000+1.73 грн
30000+1.64 грн
75000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5580000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4644+2.62 грн
6000+2.32 грн
9000+2.03 грн
15000+1.33 грн
21000+0.96 грн
30000+0.92 грн
75000+0.90 грн
300000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 4644
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : DIODES INC. DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.91 грн
1500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 76458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.85 грн
41+7.66 грн
100+4.74 грн
500+3.24 грн
1000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated ds30061-3214431.pdf Bipolar Transistors - BJT SS NPN 300mW
на замовлення 8078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.81 грн
38+9.13 грн
100+4.97 грн
500+3.56 грн
1000+2.75 грн
3000+2.30 грн
6000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : DIODES INC. DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+14.91 грн
90+9.33 грн
145+5.78 грн
500+3.91 грн
1500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F Виробник : DIODES/ZETEX MMBT5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBT5551-7-F TMMBT5551-7-F Diodes
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.