MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 80...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 300MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 80...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 300MHz
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
175+ | 2.43 грн |
225+ | 1.68 грн |
500+ | 1.49 грн |
625+ | 1.31 грн |
1700+ | 1.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED
Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT5551-7-F за ціною від 0.85 грн до 13.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
+1 |
MMBT5551-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 160V Current gain: 80...250 Collector current: 0.6A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 5625 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MMBT5551-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 210902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551-7-F | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS NPN 300mW |
на замовлення 182205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBT5551-7-F | Виробник : DIODES/ZETEX | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBT5551-7-F DIODES TMMBT5551-7-F Diodes |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBT5551-7-F | Виробник : Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT5551-7-F | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |