MMBT5551-7-F
  • MMBT5551-7-F
  • MMBT5551-7-F

MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED


MMBT5551.pdf Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 300MHz
на замовлення 1119 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.57 грн
57+7.20 грн
100+4.24 грн
500+2.86 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT5551-7-F за ціною від 1.41 грн до 14.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5551-7-F
+1
MMBT5551-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.69 грн
35+8.97 грн
100+5.09 грн
500+3.43 грн
1000+2.89 грн
3000+2.20 грн
6000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7813+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 7813
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7813+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 7813
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3979+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3979
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
213+3.47 грн
3000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : DIODES INC. DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.67 грн
1500+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.47 грн
42+7.14 грн
100+4.40 грн
500+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Bipolar Transistors - BJT SS NPN 300mW
на замовлення 21251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.99 грн
37+8.68 грн
100+5.10 грн
500+3.60 грн
1000+3.19 грн
3000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F Виробник : DIODES/ZETEX MMBT5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBT5551-7-F TMMBT5551-7-F Diodes
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F Виробник : DIODES INC. DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.6A, SOT23-3
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+13.88 грн
91+8.72 грн
147+5.42 грн
500+3.67 грн
1500+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.