
MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 12.49 грн |
46+ | 8.51 грн |
57+ | 6.80 грн |
101+ | 3.85 грн |
128+ | 3.04 грн |
629+ | 1.44 грн |
1727+ | 1.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED
Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT5551-7-F за ціною від 0.83 грн до 14.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() +1 |
MMBT5551-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 80...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 3000pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2938 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551-7-F | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
на замовлення 471000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 5580000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 5580000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551-7-F | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT5551-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 76458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 8078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551-7-F | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
MMBT5551-7-F | Виробник : DIODES/ZETEX |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|