Продукція > DIODES INCORPORATED > MMBT5551-7-F
MMBT5551-7-F
MMBT5551-7-F
MMBT5551-7-FMMBT5551-7-F

MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED

MMBT5551.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 300MHz
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+14.29 грн
46+9.20 грн
72+5.79 грн
100+4.75 грн
500+3.30 грн
1000+2.76 грн
1500+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT5551-7-F за ціною від 1.42 грн до 17.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.34 грн
6000+2.88 грн
9000+2.71 грн
15000+2.36 грн
21000+2.25 грн
30000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2110+4.47 грн
3000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 2110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3165+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 59904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
31+9.70 грн
100+6.02 грн
500+4.14 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Bipolar Transistors - BJT SS NPN 300mW
на замовлення 28114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F DIODES INC. DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F DIODES INC. DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F DIODES INC. DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F DIODES/ZETEX MMBT5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBT5551-7-F TMMBT5551-7-F Diodes
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551.pdf
MMBT5551-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.34 грн
6000+2.88 грн
9000+2.71 грн
15000+2.36 грн
21000+2.25 грн
30000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F mmbt5551.pdf
MMBT5551-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2110+4.47 грн
3000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 2110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F mmbt5551.pdf
MMBT5551-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3165+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551.pdf
MMBT5551-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 59904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
31+9.70 грн
100+6.02 грн
500+4.14 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F mmbt5551.pdf
MMBT5551-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
185+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551.pdf
MMBT5551-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS NPN 300mW
на замовлення 28114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT5551-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT5551-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT5551-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551-7-F MMBT5551.pdf
Виробник: DIODES/ZETEX
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBT5551-7-F TMMBT5551-7-F Diodes
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.