Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5551LT1G
MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G ON Semiconductor

mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 870000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.36 грн
6000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT5551LT1G за ціною від 1.35 грн до 223.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 870000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10417+1.36 грн
10490+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 10417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G On Semiconductor MMBT5550LT1-D.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 289 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
220+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20409+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 20409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 603000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.02 грн
6000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4311+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 4311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 185850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+10.79 грн
122+6.61 грн
190+4.24 грн
500+2.88 грн
1500+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 604661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.87 грн
47+6.43 грн
100+3.96 грн
500+2.69 грн
1000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 178582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.11 грн
47+6.83 грн
100+3.66 грн
500+2.69 грн
1000+2.35 грн
3000+1.79 грн
6000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+14.00 грн
85+8.98 грн
89+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+223.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G ON-Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5051 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 870000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10417+1.36 грн
10490+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 10417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5550LT1-D.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: On Semiconductor
NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 289 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
220+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20409+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 20409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 603000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.02 грн
6000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4311+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 4311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G 1571923.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 185850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
75+10.79 грн
122+6.61 грн
190+4.24 грн
500+2.88 грн
1500+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 604661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+10.87 грн
47+6.43 грн
100+3.96 грн
500+2.69 грн
1000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 178582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.11 грн
47+6.83 грн
100+3.66 грн
500+2.69 грн
1000+2.35 грн
3000+1.79 грн
6000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
54+14.00 грн
85+8.98 грн
89+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+223.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5051 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.