MMBT5551LT1G ON Semiconductor


mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12060000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.25 грн
6000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT5551LT1G за ціною від 0.98 грн до 12.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12060000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11279+1.25 грн
11364+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 11279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 501000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.29 грн
6000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G On Semiconductor MMBT5550LT1-D.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 289 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
289+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4121+3.43 грн
9147+1.55 грн
27000+1.53 грн
51000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 4121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9346+3.78 грн
10490+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 9346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2847+4.97 грн
3615+3.91 грн
4425+3.20 грн
11195+1.22 грн
11279+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 2847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 503096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
47+6.49 грн
100+3.99 грн
500+2.71 грн
1000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+12.70 грн
99+7.64 грн
152+4.97 грн
500+3.77 грн
1000+2.85 грн
3000+1.08 грн
6000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 225367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G ON Semiconductor MMBT5551LT1.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 160, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, hFE = 80 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G ON-Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G ON-Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12060000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11279+1.25 грн
11364+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 11279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 501000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.29 грн
6000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5550LT1-D.pdf
Виробник: On Semiconductor
NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 289 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
289+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4121+3.43 грн
9147+1.55 грн
27000+1.53 грн
51000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 4121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9346+3.78 грн
10490+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 9346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2847+4.97 грн
3615+3.91 грн
4425+3.20 грн
11195+1.22 грн
11279+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 2847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 503096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.97 грн
47+6.49 грн
100+3.99 грн
500+2.71 грн
1000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+12.70 грн
99+7.64 грн
152+4.97 грн
500+3.77 грн
1000+2.85 грн
3000+1.08 грн
6000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 225367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G 1571923.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G 1571923.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 160, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, hFE = 80 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.