MMBT5551LT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14151+ | 0.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5551LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT5551LT1G за ціною від 0.98 грн до 13.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5551LT1G | Виробник : On Semiconductor |
NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 289 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5551LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 345000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5551LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5551LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 80...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 8689 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5551LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 345696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5551LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 59956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5551LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 59956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5551LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN |
на замовлення 89887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 160, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, hFE = 80 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 927 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBT5551LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 5051 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|