Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5551LT1G
MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G ON Semiconductor

mmbt5550lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2385000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16130+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 16130
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT5551LT1G за ціною від 0.72 грн до 12.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2385000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.87 грн
6000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 171998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8721+1.46 грн
14564+0.88 грн
15152+0.84 грн
15626+0.79 грн
21000+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 8721
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.57 грн
6000+0.94 грн
9000+0.90 грн
15000+0.84 грн
21000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6881+1.85 грн
9000+1.67 грн
27000+1.62 грн
51000+1.52 грн
102000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 6881
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 375000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.19 грн
6000+1.88 грн
9000+1.76 грн
15000+1.52 грн
21000+1.45 грн
30000+1.37 грн
75000+1.19 грн
150000+1.10 грн
300000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013307714-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.21 грн
9000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9346+3.41 грн
10490+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 9346
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 71827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.44 грн
1500+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 13636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
84+5.30 грн
125+3.28 грн
172+2.39 грн
196+2.10 грн
500+1.59 грн
1000+1.44 грн
1500+1.36 грн
3000+1.25 грн
6000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13636 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
50+6.36 грн
75+4.09 грн
103+2.87 грн
118+2.52 грн
500+1.91 грн
1000+1.72 грн
1500+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+10.85 грн
103+7.14 грн
197+3.71 грн
378+1.86 грн
383+1.70 грн
500+1.62 грн
1000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 377409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.07 грн
50+6.64 грн
100+4.05 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : onsemi MMBT5550LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 68620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+11.85 грн
56+6.52 грн
100+3.39 грн
500+2.83 грн
1000+2.36 грн
3000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 71827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+12.28 грн
120+7.41 грн
201+4.41 грн
500+3.44 грн
1500+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5051 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G Виробник : On Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.