Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5551LT1G
MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G ON Semiconductor

mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3822000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.26 грн
6000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT5551LT1G за ціною від 0.98 грн до 12.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3822000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11195+1.26 грн
11279+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 11195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G On Semiconductor MMBT5550LT1-D.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 289 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
220+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20409+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 20409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.08 грн
6000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4336+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 4336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+4.96 грн
500+3.81 грн
1000+3.24 грн
3000+1.24 грн
6000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2847+4.96 грн
3704+3.81 грн
4361+3.24 грн
10949+1.24 грн
11030+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 2847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 80...250
на замовлення 11305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.11 грн
80+5.27 грн
111+3.80 грн
127+3.31 грн
250+2.85 грн
500+2.53 грн
1000+2.21 грн
1500+2.05 грн
3000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.95 грн
46+6.63 грн
100+4.07 грн
500+2.77 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+12.16 грн
85+8.94 грн
102+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 128989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 128439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 128439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307714-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G ON Semiconductor MMBT5551LT1.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 160, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, hFE = 80 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G ON-Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3822000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11195+1.26 грн
11279+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 11195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5550LT1-D.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: On Semiconductor
NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 289 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
220+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20409+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 20409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.08 грн
6000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4336+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 4336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
167+4.96 грн
500+3.81 грн
1000+3.24 грн
3000+1.24 грн
6000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2847+4.96 грн
3704+3.81 грн
4361+3.24 грн
10949+1.24 грн
11030+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 2847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 80...250
на замовлення 11305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+8.11 грн
80+5.27 грн
111+3.80 грн
127+3.31 грн
250+2.85 грн
500+2.53 грн
1000+2.21 грн
1500+2.05 грн
3000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.95 грн
46+6.63 грн
100+4.07 грн
500+2.77 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+12.16 грн
85+8.94 грн
102+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 128989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G 1571923.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 128439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G 1571923.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 128439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G ONSM-S-A0013307714-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT5551LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 160, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, hFE = 80 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.