MMBT5551LT1G ON Semiconductor
на замовлення 2736000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 0.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5551LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT5551LT1G за ціною від 0.81 грн до 12.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 171998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2736000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5551LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 633000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5551LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 80...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 7907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5551LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 80...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7907 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5551LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 636715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5551LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN |
на замовлення 122589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT5551LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 75438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT5551LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| MMBT5551LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 5651 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBT5551LT1G | Виробник : On Semiconductor |
NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 5 дні (днів) |