Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5551LT1G
MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G ON Semiconductor

mmbt5550lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 171998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBT5551LT1G за ціною від 1.03 грн до 12.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2361000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.48 грн
6000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2361000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7654+1.59 грн
10870+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 7654
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7463+1.63 грн
7538+1.62 грн
7576+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 7463
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7282+1.68 грн
9000+1.53 грн
27000+1.51 грн
51000+1.42 грн
102000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 7282
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 327000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.72 грн
6000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 327000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6522+1.87 грн
9434+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 6522
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013307714-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.05 грн
9000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.23 грн
6000+1.91 грн
9000+1.78 грн
15000+1.55 грн
21000+1.47 грн
30000+1.40 грн
75000+1.21 грн
150000+1.11 грн
300000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 85095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.20 грн
1500+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+9.84 грн
91+6.68 грн
92+6.61 грн
229+2.55 грн
399+1.36 грн
500+1.29 грн
3000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 8157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+9.90 грн
75+5.16 грн
103+3.74 грн
114+3.37 грн
123+3.13 грн
547+1.64 грн
1500+1.62 грн
1503+1.56 грн
2000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 303062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.14 грн
46+6.74 грн
100+4.12 грн
500+2.80 грн
1000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+11.88 грн
45+6.43 грн
62+4.49 грн
75+4.05 грн
100+3.75 грн
547+1.97 грн
1500+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 133186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.27 грн
53+6.43 грн
106+2.80 грн
1000+2.13 грн
3000+1.54 грн
9000+1.32 грн
24000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 85095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+12.30 грн
107+7.78 грн
198+4.18 грн
500+3.20 грн
1500+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5651 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G Виробник : On Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.