Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5551LT1G
MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G ON Semiconductor

mmbt5550lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2427000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12397+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 12397
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT5551LT1G за ціною від 0.69 грн до 12.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2427000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.08 грн
6000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 171998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8824+1.41 грн
14019+0.89 грн
14852+0.84 грн
15000+0.80 грн
21000+0.73 грн
24000+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 8824
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.51 грн
6000+0.95 грн
9000+0.90 грн
15000+0.86 грн
21000+0.79 грн
24000+0.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6881+1.81 грн
9000+1.63 грн
27000+1.58 грн
51000+1.48 грн
102000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 6881
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013307714-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.12 грн
9000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 177700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.15 грн
6000+1.84 грн
9000+1.73 грн
15000+1.50 грн
21000+1.42 грн
30000+1.35 грн
75000+1.17 грн
150000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 72507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.31 грн
1500+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9346+3.33 грн
10490+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 9346
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
84+5.12 грн
125+3.17 грн
172+2.31 грн
196+2.03 грн
500+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
50+6.14 грн
75+3.95 грн
103+2.78 грн
118+2.43 грн
500+1.84 грн
1000+1.66 грн
1500+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+10.60 грн
102+6.99 грн
197+3.63 грн
378+1.82 грн
383+1.66 грн
500+1.58 грн
1000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : onsemi MMBT5550LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
на замовлення 94766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.64 грн
56+6.30 грн
100+3.27 грн
500+2.74 грн
1000+2.28 грн
3000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 178035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.69 грн
49+6.49 грн
100+3.98 грн
500+2.71 грн
1000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 72507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+12.79 грн
106+8.07 грн
177+4.84 грн
500+3.31 грн
1500+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5651 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G Виробник : On Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.