MMBT5551M3T5G ON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 1.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5551M3T5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 60mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT5551M3T5G за ціною від 1.48 грн до 12.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBT5551M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5551M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5551M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT5551M3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 265 mW |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5551M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 1441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT5551M3T5G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS |
на замовлення 27040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5551M3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 265 mW |
на замовлення 41921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT5551M3T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 60mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT5551M3T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 60mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT5551M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 1441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT5551M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MMBT5551M3T5G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 MMBT5551M3T5G TMMBT5551m3 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
MMBT5551M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MMBT5551M3T5G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.06A; 0.64W; SOT723 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 60mA Power dissipation: 0.64W Case: SOT723 Current gain: 80...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |