Продукція > ONSEMI > MMBT5551M3T5G
MMBT5551M3T5G

MMBT5551M3T5G onsemi

mmbt5551m3-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551M3T5G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 265mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 60mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT5551M3T5G за ціною від 2.39 грн до 16.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G ON Semiconductor mmbt5551m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2181+6.47 грн
3000+4.70 грн
3686+3.83 грн
5017+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 2181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G onsemi mmbt5551m3-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.51 грн
41+7.38 грн
100+4.53 грн
500+3.09 грн
1000+2.71 грн
2000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G ON Semiconductor mmbt5551m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+16.93 грн
72+10.54 грн
117+6.47 грн
500+4.54 грн
1000+3.42 грн
2000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G onsemi mmbt5551m3-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS
на замовлення 39706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G ONSEMI ONSM-S-A0013776986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G ONSEMI ONSM-S-A0013776986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G ON Semiconductor mmbt5551m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G ON-Semiconductor mmbt5551m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 MMBT5551M3T5G TMMBT5551m3
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G mmbt5551m3-d.pdf
MMBT5551M3T5G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2181+6.47 грн
3000+4.70 грн
3686+3.83 грн
5017+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 2181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G mmbt5551m3-d.pdf
MMBT5551M3T5G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.51 грн
41+7.38 грн
100+4.53 грн
500+3.09 грн
1000+2.71 грн
2000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G mmbt5551m3-d.pdf
MMBT5551M3T5G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+16.93 грн
72+10.54 грн
117+6.47 грн
500+4.54 грн
1000+3.42 грн
2000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G mmbt5551m3-d.pdf
MMBT5551M3T5G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS
на замовлення 39706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G ONSM-S-A0013776986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT5551M3T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G ONSM-S-A0013776986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT5551M3T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G mmbt5551m3-d.pdf
MMBT5551M3T5G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G mmbt5551m3-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 MMBT5551M3T5G TMMBT5551m3
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.