Продукція > ONSEMI > MMBT5551M3T5G

MMBT5551M3T5G onsemi

Name: MMBT5551M3T5G
Brand: onsemi
SKU: 2050505-3
Price: 16560.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8000+	2.07 грн
16000+	1.80 грн
24000+	1.69 грн
40000+	1.48 грн

Мінімальне замовлення: 8000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MMBT5551M3T5G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 60mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT5551M3T5G за ціною від 1.78 грн до 12.27 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

MMBT5551M3T5G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8000+	2.09 грн
16000+	1.92 грн
24000+	1.78 грн

Мінімальне замовлення: 8000

В кошику од. на суму грн.

MMBT5551M3T5G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8000+	2.35 грн

Мінімальне замовлення: 8000

В кошику од. на суму грн.

MMBT5551M3T5G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8000+	2.39 грн
32000+	2.18 грн

Мінімальне замовлення: 8000

В кошику од. на суму грн.

MMBT5551M3T5G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R

на замовлення 1438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
74+	9.47 грн
103+	6.72 грн
105+	6.65 грн
148+	4.51 грн
250+	4.09 грн
500+	2.99 грн
1000+	1.79 грн

Мінімальне замовлення: 74

В кошику од. на суму грн.

MMBT5551M3T5G

Виробник : onsemi

Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS

на замовлення 26866 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
29+	12.17 грн
47+	7.48 грн
100+	4.16 грн
500+	3.02 грн
1000+	2.34 грн
2500+	2.27 грн
5000+	1.89 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

MMBT5551M3T5G

Виробник : onsemi

Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW

на замовлення 41921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
27+	12.27 грн
44+	7.25 грн
100+	4.47 грн
500+	3.05 грн
1000+	2.68 грн
2000+	2.37 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

MMBT5551M3T5G

Виробник : ONSEMI

ONSM-S-A0013776986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

MMBT5551M3T5G

Виробник : ONSEMI

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

MMBT5551M3T5G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R

на замовлення 1438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

MMBT5551M3T5G

Виробник : ON-Semicoductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 MMBT5551M3T5G TMMBT5551m3
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 90 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	5.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

MMBT5551M3T5G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

MMBT5551M3T5G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

MMBT5551M3T5G

Виробник : ONSEMI

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.06A; 0.64W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.64W
Case: SOT723
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.