Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT5551M3T5G
MMBT5551M3T5G

MMBT5551M3T5G ON Semiconductor

mmbt5551m3-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2378+5.94 грн
3268+4.32 грн
4055+3.48 грн
5173+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 2378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551M3T5G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 265mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 60mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBT5551M3T5G за ціною від 2.34 грн до 15.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G ON Semiconductor mmbt5551m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+15.89 грн
80+9.46 грн
127+5.94 грн
500+4.16 грн
1000+3.11 грн
2000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G ONSEMI ONSM-S-A0013776986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G onsemi mmbt5551m3-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 378-387 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G ONSEMI ONSM-S-A0013776986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G ON Semiconductor mmbt5551m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G ON-Semiconductor mmbt5551m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 MMBT5551M3T5G TMMBT5551m3
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G mmbt5551m3-d.pdf
MMBT5551M3T5G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+15.89 грн
80+9.46 грн
127+5.94 грн
500+4.16 грн
1000+3.11 грн
2000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G ONSM-S-A0013776986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT5551M3T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G mmbt5551m3-d.pdf
MMBT5551M3T5G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 378-387 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G ONSM-S-A0013776986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT5551M3T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G mmbt5551m3-d.pdf
MMBT5551M3T5G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551M3T5G mmbt5551m3-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 MMBT5551M3T5G TMMBT5551m3
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.