Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > MMBT5551W_R1_00701
MMBT5551W_R1_00701

MMBT5551W_R1_00701 Panjit International Inc.

MMBT5551W.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.40 грн
6000+2.06 грн
9000+1.93 грн
15000+1.67 грн
21000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551W_R1_00701 Panjit International Inc.

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-323, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції MMBT5551W_R1_00701 за ціною від 1.40 грн до 12.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT5551W_R1_00701 MMBT5551W_R1_00701 Виробник : Panjit MMBT5551W-3359524.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
на замовлення 29773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
43+8.15 грн
59+5.75 грн
100+3.38 грн
1000+2.21 грн
3000+1.91 грн
9000+1.47 грн
24000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W_R1_00701 MMBT5551W_R1_00701 Виробник : Panjit International Inc. MMBT5551W.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 29244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.73 грн
44+7.13 грн
100+4.42 грн
500+3.01 грн
1000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W_R1_00701 Виробник : PanJit Semiconductor MMBT5551W.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W-R1-00701 Виробник : Panjit Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W_R1_00701 Виробник : PanJit Semiconductor MMBT5551W.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.