Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > MMBT5551W_R1_00701
MMBT5551W_R1_00701

MMBT5551W_R1_00701 Panjit International Inc.

MMBT5551W.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.83 грн
6000+2.43 грн
9000+2.28 грн
15000+1.99 грн
21000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551W_R1_00701 Panjit International Inc.

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-323, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції MMBT5551W_R1_00701 за ціною від 3.10 грн до 14.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT5551W_R1_00701 MMBT5551W_R1_00701 Panjit International Inc. MMBT5551W.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 21563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.24 грн
37+8.38 грн
100+5.15 грн
500+3.53 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W_R1_00701 MMBT5551W_R1_00701 Panjit MMBT5551W.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
на замовлення 13971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W_R1_00701 MMBT5551W.pdf
MMBT5551W_R1_00701
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 21563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.24 грн
37+8.38 грн
100+5.15 грн
500+3.53 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W_R1_00701 MMBT5551W.pdf
MMBT5551W_R1_00701
Виробник: Panjit
Bipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
на замовлення 13971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.