Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > MMBT5551W_R1_00701
MMBT5551W_R1_00701

MMBT5551W_R1_00701 Panjit International Inc.

MMBT5551W.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.33 грн
6000+2.00 грн
9000+1.87 грн
15000+1.62 грн
21000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT5551W_R1_00701 Panjit International Inc.

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-323, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції MMBT5551W_R1_00701 за ціною від 1.82 грн до 12.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT5551W_R1_00701 MMBT5551W_R1_00701 Panjit International Inc. MMBT5551W.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 22763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.78 грн
44+6.96 грн
100+4.29 грн
500+2.92 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W_R1_00701 MMBT5551W_R1_00701 Panjit MMBT5551W.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
на замовлення 14091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.63 грн
44+7.39 грн
100+4.05 грн
500+2.93 грн
1000+2.58 грн
3000+2.02 грн
6000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W_R1_00701 MMBT5551W.pdf
MMBT5551W_R1_00701
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 22763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.78 грн
44+6.96 грн
100+4.29 грн
500+2.92 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551W_R1_00701 MMBT5551W.pdf
MMBT5551W_R1_00701
Виробник: Panjit
Bipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
на замовлення 14091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
26+12.63 грн
44+7.39 грн
100+4.05 грн
500+2.93 грн
1000+2.58 грн
3000+2.02 грн
6000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.