Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT589LT1G
MMBT589LT1G

MMBT589LT1G ON Semiconductor

mmbt589lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT589LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT589LT1G за ціною від 5.25 грн до 39.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : onsemi mmbt589lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.76 грн
6000+6.79 грн
9000+6.44 грн
15000+5.68 грн
21000+5.46 грн
30000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.23 грн
6000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.81 грн
6000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.49 грн
6000+10.01 грн
9000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ONSEMI 2353814.pdf Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.69 грн
500+10.93 грн
1500+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ONSEMI mmbt589lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31/0.71W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 100...300
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.70 грн
20+20.67 грн
50+14.18 грн
100+11.96 грн
500+8.39 грн
1000+7.37 грн
1500+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : onsemi mmbt589lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 52640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.54 грн
16+20.83 грн
100+13.19 грн
500+9.28 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ONSEMI mmbt589lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31/0.71W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 100...300
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.84 грн
12+25.76 грн
50+17.01 грн
100+14.35 грн
500+10.07 грн
1000+8.84 грн
1500+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : onsemi MMBT589LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Switching PNP
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.34 грн
16+22.03 грн
100+12.62 грн
500+9.50 грн
1000+8.52 грн
3000+6.46 грн
6000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ONSEMI 2353814.pdf Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+39.83 грн
50+24.73 грн
100+15.69 грн
500+10.93 грн
1500+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.