Продукція > ONSEMI > MMBT589LT1G
MMBT589LT1G

MMBT589LT1G onsemi

mmbt589lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.49 грн
6000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT589LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT589LT1G за ціною від 8.47 грн до 35.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT589LT1G MMBT589LT1G ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.70 грн
100+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G ONSEMI mmbt589lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31/0.71W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.34 грн
18+24.60 грн
20+21.67 грн
50+18.83 грн
100+18.16 грн
500+17.15 грн
1000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G onsemi mmbt589lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 32976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.98 грн
15+21.24 грн
100+13.50 грн
500+9.50 грн
1000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G ONSEMI 2353814.pdf Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G ONSEMI 2353814.pdf Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G mmbt589lt1-d.pdf
MMBT589LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G mmbt589lt1-d.pdf
MMBT589LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G mmbt589lt1-d.pdf
MMBT589LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+27.70 грн
100+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G mmbt589lt1-d.pdf
MMBT589LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31/0.71W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.34 грн
18+24.60 грн
20+21.67 грн
50+18.83 грн
100+18.16 грн
500+17.15 грн
1000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G mmbt589lt1-d.pdf
MMBT589LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 32976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.98 грн
15+21.24 грн
100+13.50 грн
500+9.50 грн
1000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G 2353814.pdf
MMBT589LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G mmbt589lt1-d.pdf
MMBT589LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G 2353814.pdf
MMBT589LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.