MMBT589LT1G ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT589LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT589LT1G за ціною від 5.41 грн до 38.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBT589LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT589LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT589LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT589LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT589LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT589LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 1A Power dissipation: 0.31/0.71W Case: SOT23 Current gain: 40...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT589LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT589LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 1A Power dissipation: 0.31/0.71W Case: SOT23 Current gain: 40...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT589LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW |
на замовлення 59375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT589LT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Switching PNP |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT589LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT589LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |