Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT589LT1G
MMBT589LT1G

MMBT589LT1G ON Semiconductor

mmbt589lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT589LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT589LT1G за ціною від 6.34 грн до 40.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.17 грн
6000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.75 грн
6000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.41 грн
6000+9.94 грн
9000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ONSEMI 2353814.pdf Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.76 грн
500+10.98 грн
1500+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ONSEMI mmbt589lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31/0.71W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.41 грн
18+22.43 грн
50+15.35 грн
100+12.89 грн
117+8.03 грн
322+7.56 грн
1500+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : onsemi mmbt589lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.70 грн
16+20.76 грн
100+13.16 грн
500+9.26 грн
1000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : onsemi MMBT589LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Switching PNP
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.51 грн
16+22.13 грн
100+12.68 грн
500+9.55 грн
1000+8.55 грн
3000+6.49 грн
6000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ONSEMI 2353814.pdf Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+40.01 грн
50+24.84 грн
100+15.76 грн
500+10.98 грн
1500+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ONSEMI mmbt589lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31/0.71W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.09 грн
11+27.95 грн
50+18.42 грн
100+15.46 грн
117+9.64 грн
322+9.07 грн
1500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : onsemi mmbt589lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.