Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT589LT1G
MMBT589LT1G

MMBT589LT1G ON Semiconductor

mmbt589lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT589LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBT589LT1G за ціною від 4.88 грн до 40.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.48 грн
6000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : onsemi mmbt589lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.02 грн
6000+7.02 грн
9000+6.66 грн
15000+5.87 грн
21000+5.64 грн
30000+5.42 грн
75000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.05 грн
6000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.27 грн
6000+9.80 грн
9000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ONSEMI mmbt589lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.06 грн
500+9.73 грн
1500+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ONSEMI mmbt589lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31/0.71W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.84 грн
19+20.69 грн
25+16.40 грн
50+13.79 грн
100+11.50 грн
117+7.66 грн
320+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : onsemi mmbt589lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 81181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.81 грн
15+21.46 грн
100+13.63 грн
500+9.60 грн
1000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ONSEMI mmbt589lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.23 грн
50+22.53 грн
100+11.06 грн
500+9.73 грн
1500+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : onsemi mmbt589lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Switching PNP
на замовлення 5619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.14 грн
15+24.03 грн
100+10.01 грн
1000+8.98 грн
3000+6.33 грн
9000+5.81 грн
24000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ONSEMI mmbt589lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31/0.71W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.60 грн
12+25.78 грн
25+19.68 грн
50+16.55 грн
100+13.79 грн
117+9.20 грн
320+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT589LT1G MMBT589LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt589lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.