MMBT589LT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.25 грн |
| 6000+ | 6.34 грн |
| 9000+ | 6.02 грн |
| 15000+ | 5.30 грн |
| 21000+ | 5.10 грн |
| 30000+ | 4.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT589LT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBT589LT1G за ціною від 5.67 грн до 42.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT589LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT589LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT589LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT589LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT589LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT589LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT589LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW |
на замовлення 52640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT589LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Switching PNP |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT589LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT589LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige VCE(Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT589LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MMBT589LT1G | Виробник : ONSEMI |
MMBT589LT1G PNP SMD transistors |
на замовлення 1461 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
MMBT589LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |