
MMBT6428LT1G ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT6428LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 700MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції MMBT6428LT1G за ціною від 1.63 грн до 17.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBT6428LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT6428LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT6428LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT6428LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT6428LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 700MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT6428LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT6428LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT6428LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 700MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT6428LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 700MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 21769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT6428LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Frequency: 700MHz Mounting: SMD Current gain: 250...650 Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.2A |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT6428LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 57335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT6428LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Frequency: 700MHz Mounting: SMD Current gain: 250...650 Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 225 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT6428LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |