Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT6428LT1G
MMBT6428LT1G

MMBT6428LT1G ON Semiconductor

mmbt6428lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT6428LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 700MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MMBT6428LT1G за ціною від 1.62 грн до 19.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4984+2.94 грн
9000+2.52 грн
24000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 4984 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.03 грн
6000+2.83 грн
9000+2.54 грн
15000+2.42 грн
21000+2.02 грн
30000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4839+3.03 грн
6000+2.83 грн
9000+2.54 грн
15000+2.42 грн
21000+2.02 грн
30000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 4839 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G onsemi mmbt6428lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.08 грн
6000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4732+3.10 грн
6000+3.01 грн
9000+2.79 грн
15000+2.66 грн
21000+2.24 грн
30000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 4732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4465+3.28 грн
6000+3.04 грн
9000+2.86 грн
15000+2.73 грн
21000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 4465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4262+3.44 грн
9000+2.91 грн
27000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 4262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G onsemi MMBT6428LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
на замовлення 65887 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
22+14.31 грн
42+7.35 грн
100+4.74 грн
500+3.69 грн
1000+3.31 грн
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G onsemi mmbt6428lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.08 грн
34+9.09 грн
100+5.59 грн
500+3.83 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G ONSEMI mmbt6428lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Current gain: 250...650
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Frequency: 700MHz
Collector current: 0.2A
на замовлення 7021 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+19.20 грн
33+13.07 грн
40+10.70 грн
66+6.45 грн
100+5.27 грн
439+2.22 грн
1205+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G ONSEMI 2578348.pdf Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G mmbt6428lt1-d.pdf
MMBT6428LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4984+2.94 грн
9000+2.52 грн
24000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 4984 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G mmbt6428lt1-d.pdf
MMBT6428LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.03 грн
6000+2.83 грн
9000+2.54 грн
15000+2.42 грн
21000+2.02 грн
30000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G mmbt6428lt1-d.pdf
MMBT6428LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4839+3.03 грн
6000+2.83 грн
9000+2.54 грн
15000+2.42 грн
21000+2.02 грн
30000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 4839 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G mmbt6428lt1-d.pdf
MMBT6428LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.08 грн
6000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G mmbt6428lt1-d.pdf
MMBT6428LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4732+3.10 грн
6000+3.01 грн
9000+2.79 грн
15000+2.66 грн
21000+2.24 грн
30000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 4732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G mmbt6428lt1-d.pdf
MMBT6428LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4465+3.28 грн
6000+3.04 грн
9000+2.86 грн
15000+2.73 грн
21000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 4465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G mmbt6428lt1-d.pdf
MMBT6428LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4262+3.44 грн
9000+2.91 грн
27000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 4262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1-D.PDF
MMBT6428LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
на замовлення 65887 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.31 грн
42+7.35 грн
100+4.74 грн
500+3.69 грн
1000+3.31 грн
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G mmbt6428lt1-d.pdf
MMBT6428LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+15.08 грн
34+9.09 грн
100+5.59 грн
500+3.83 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G mmbt6428lt1-d.pdf
MMBT6428LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Current gain: 250...650
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Frequency: 700MHz
Collector current: 0.2A
на замовлення 7021 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+19.20 грн
33+13.07 грн
40+10.70 грн
66+6.45 грн
100+5.27 грн
439+2.22 грн
1205+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G 2578348.pdf
MMBT6428LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.