Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT6428LT1G
MMBT6428LT1G

MMBT6428LT1G ON Semiconductor

mmbt6428lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT6428LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 700MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MMBT6428LT1G за ціною від 1.36 грн до 16.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4984+2.48 грн
9000+2.12 грн
24000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 4984
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4839+2.55 грн
6000+2.39 грн
9000+2.14 грн
15000+2.04 грн
21000+1.71 грн
30000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 4839
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4732+2.61 грн
6000+2.54 грн
9000+2.35 грн
15000+2.25 грн
21000+1.89 грн
30000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 4732
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.73 грн
6000+2.56 грн
9000+2.29 грн
15000+2.19 грн
21000+1.83 грн
30000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4465+2.77 грн
6000+2.56 грн
9000+2.41 грн
15000+2.30 грн
21000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 4465
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Виробник : onsemi mmbt6428lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.80 грн
6000+2.44 грн
9000+2.31 грн
15000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4262+2.90 грн
9000+2.45 грн
27000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 4262
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Виробник : ONSEMI 2578348.pdf Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+7.61 грн
150+5.73 грн
218+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Виробник : onsemi mmbt6428lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 21769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.71 грн
46+6.98 грн
100+4.71 грн
500+3.36 грн
1000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Виробник : ONSEMI mmbt6428lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Case: SOT23
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...650
Frequency: 700MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+13.67 грн
73+5.48 грн
98+4.06 грн
110+3.63 грн
450+2.07 грн
1236+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Виробник : onsemi MMBT6428LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
на замовлення 65887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+14.49 грн
48+7.45 грн
100+4.80 грн
500+3.73 грн
1000+3.35 грн
3000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Виробник : ONSEMI mmbt6428lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Case: SOT23
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...650
Frequency: 700MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+16.41 грн
44+6.82 грн
59+4.88 грн
100+4.35 грн
450+2.49 грн
1236+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.