Технічний опис MMBT6428LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 700MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції MMBT6428LT1G за ціною від 1.56 грн до 14.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT6428LT1G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MMBT6428LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 700MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MMBT6428LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MMBT6428LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MMBT6428LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MMBT6428LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MMBT6428LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MMBT6428LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 700MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MMBT6428LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN |
на замовлення 65887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
MMBT6428LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 700MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| MMBT6428LT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4984+ | 2.83 грн |
| 9000+ | 2.43 грн |
| 24000+ | 2.08 грн |
| MMBT6428LT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.85 грн |
| 6000+ | 2.46 грн |
| MMBT6428LT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.92 грн |
| 6000+ | 2.73 грн |
| 9000+ | 2.45 грн |
| 15000+ | 2.33 грн |
| 21000+ | 1.95 грн |
| 30000+ | 1.56 грн |
| MMBT6428LT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4839+ | 2.92 грн |
| 6000+ | 2.73 грн |
| 9000+ | 2.45 грн |
| 15000+ | 2.33 грн |
| 21000+ | 1.95 грн |
| 30000+ | 1.56 грн |
| MMBT6428LT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4732+ | 2.98 грн |
| 6000+ | 2.90 грн |
| 9000+ | 2.69 грн |
| 15000+ | 2.57 грн |
| 21000+ | 2.16 грн |
| 30000+ | 2.06 грн |
| MMBT6428LT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4465+ | 3.16 грн |
| 6000+ | 2.93 грн |
| 9000+ | 2.76 грн |
| 15000+ | 2.63 грн |
| 21000+ | 2.02 грн |
| MMBT6428LT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4262+ | 3.31 грн |
| 9000+ | 2.80 грн |
| 27000+ | 2.70 грн |
| MMBT6428LT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 14.86 грн |
| 34+ | 8.89 грн |
| 100+ | 5.48 грн |
| 500+ | 3.76 грн |
| 1000+ | 3.31 грн |
| MMBT6428LT1G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
на замовлення 65887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MMBT6428LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)