MMBT6428LT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.73 грн |
| 6000+ | 2.35 грн |
| 9000+ | 2.21 грн |
| 15000+ | 1.92 грн |
| 21000+ | 1.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT6428LT1G onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V, Frequency - Transition: 700MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 225 mW.
Інші пропозиції MMBT6428LT1G за ціною від 1.86 грн до 14.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT6428LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN |
на замовлення 65887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT6428LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 700MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 22743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT6428LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 700MHz Kind of transistor: RF Current gain: 250...650 |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| MMBT6428LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
на замовлення 65887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 13.10 грн |
| 48+ | 6.73 грн |
| 100+ | 4.34 грн |
| 500+ | 3.38 грн |
| 1000+ | 3.03 грн |
| 3000+ | 1.86 грн |
| MMBT6428LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 22743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 13.95 грн |
| 38+ | 7.98 грн |
| 100+ | 4.95 грн |
| 500+ | 3.39 грн |
| 1000+ | 2.99 грн |
| MMBT6428LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 700MHz
Kind of transistor: RF
Current gain: 250...650
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 700MHz
Kind of transistor: RF
Current gain: 250...650
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 14.29 грн |
| 41+ | 10.28 грн |
| 48+ | 8.79 грн |
| 69+ | 6.02 грн |
| 100+ | 5.09 грн |
| 500+ | 3.57 грн |
| 1000+ | 3.11 грн |




