Продукція > ONSEMI > MMBT6429LT1G
MMBT6429LT1G

MMBT6429LT1G ONSEMI

mmbt6428lt1-d.pdf Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 500...1250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 700MHz
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
175+2.14 грн
195+ 1.79 грн
500+ 1.58 грн
564+ 1.43 грн
Мінімальне замовлення: 175
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT6429LT1G ONSEMI

Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V, Frequency - Transition: 700MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 225 mW.

Інші пропозиції MMBT6429LT1G за ціною від 1.2 грн до 12.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT6429LT1G MMBT6429LT1G Виробник : ONSEMI mmbt6428lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 500...1250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 700MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
105+2.57 грн
117+ 2.23 грн
500+ 1.89 грн
564+ 1.72 грн
1552+ 1.63 грн
12000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 105
MMBT6429LT1G MMBT6429LT1G Виробник : onsemi mmbt6428lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.55 грн
35+ 8 грн
100+ 4.28 грн
500+ 3.15 грн
1000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 25
MMBT6429LT1G MMBT6429LT1G Виробник : onsemi MMBT6428LT1_D-2316300.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 55V NPN
на замовлення 7181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+12.31 грн
35+ 8.83 грн
100+ 3.27 грн
1000+ 2.2 грн
3000+ 1.6 грн
9000+ 1.27 грн
24000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 26
MMBT6429LT1G MMBT6429LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT6429LT1G MMBT6429LT1G Виробник : onsemi mmbt6428lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
товар відсутній