Інші пропозиції MMBT6520LT1G за ціною від 3.53 грн до 24.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT6520LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT6520LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT6520LT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT6520LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT6520LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT6520LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT6520LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT6520LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT6520LT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 350V Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 30...200 Case: SOT23; TO236AB Frequency: 200MHz Collector current: 0.5A |
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT6520LT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 13773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT6520LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMBT6520LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP |
на замовлення 172826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MMBT6520LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| MMBT6520LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.59 грн |
| MMBT6520LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3927+ | 3.59 грн |
| MMBT6520LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.35 грн |
| 6000+ | 3.77 грн |
| 9000+ | 3.56 грн |
| MMBT6520LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3206+ | 4.40 грн |
| 6000+ | 4.11 грн |
| 9000+ | 3.53 грн |
| MMBT6520LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.69 грн |
| MMBT6520LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7026+ | 5.02 грн |
| 10000+ | 4.48 грн |
| MMBT6520LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.36 грн |
| 6000+ | 5.27 грн |
| 12000+ | 5.13 грн |
| MMBT6520LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1638+ | 8.62 грн |
| 1656+ | 8.52 грн |
| 1859+ | 7.59 грн |
| 2219+ | 6.13 грн |
| 3000+ | 4.82 грн |
| 6000+ | 3.81 грн |
| MMBT6520LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 350V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 30...200
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.5A
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 350V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 30...200
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.5A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 20.97 грн |
| 33+ | 13.12 грн |
| 50+ | 9.24 грн |
| 100+ | 7.92 грн |
| MMBT6520LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 21.36 грн |
| 25+ | 12.34 грн |
| 100+ | 7.69 грн |
| 500+ | 5.32 грн |
| 1000+ | 4.71 грн |
| MMBT6520LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 24.46 грн |
| 54+ | 14.05 грн |
| 55+ | 13.89 грн |
| 100+ | 8.89 грн |
| 250+ | 8.14 грн |
| 500+ | 6.51 грн |
| 1000+ | 5.62 грн |
| 3000+ | 4.69 грн |
| 6000+ | 3.75 грн |
| MMBT6520LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP
Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP
на замовлення 172826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MMBT6520LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







