Продукція > ONSEMI > MMBT6520LT1G
MMBT6520LT1G

MMBT6520LT1G ONSEMI

1840568.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+16.1 грн
117+ 6.32 грн
500+ 5.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT6520LT1G ONSEMI

Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 225 mW.

Інші пропозиції MMBT6520LT1G за ціною від 2.42 грн до 23.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : onsemi mmbt6520lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.27 грн
19+ 14.41 грн
100+ 7.29 грн
500+ 5.58 грн
1000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+22.03 грн
38+ 15.33 грн
100+ 6.65 грн
250+ 5.82 грн
500+ 5.53 грн
1000+ 4.35 грн
3000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 27
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : ONSEMI 1840568.pdf Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+23.31 грн
46+ 16.1 грн
117+ 6.32 грн
500+ 5.74 грн
Мінімальне замовлення: 32
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : onsemi MMBT6520LT1_D-2316020.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP
на замовлення 67382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.48 грн
19+ 16.06 грн
100+ 5.77 грн
1000+ 4.33 грн
3000+ 3.41 грн
9000+ 2.95 грн
24000+ 2.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMBT6520LT1G
Код товару: 147958 		mmbt6520lt1-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : ONSEMI mmbt6520lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 15...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : onsemi mmbt6520lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
товар відсутній
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : ONSEMI mmbt6520lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 15...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товар відсутній