MMBT6520LT1G ON Semiconductor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3927+ | 3.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT6520LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBT6520LT1G за ціною від 2.60 грн до 24.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBT6520LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT6520LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT6520LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT6520LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT6520LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT6520LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT6520LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT6520LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP |
на замовлення 172826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT6520LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 13773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBT6520LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBT6520LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBT6520LT1G Код товару: 147958
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|