Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT6520LT1G
MMBT6520LT1G

MMBT6520LT1G ON Semiconductor

mmbt6520lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT6520LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 225 mW.

Інші пропозиції MMBT6520LT1G за ціною від 2.66 грн до 26.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8357+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 8357
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : onsemi mmbt6520lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.58 грн
6000+3.97 грн
9000+3.75 грн
15000+3.28 грн
21000+3.14 грн
30000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.59 грн
6000+4.40 грн
12000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1887+6.47 грн
1906+6.40 грн
1938+6.30 грн
2492+4.72 грн
3000+3.84 грн
6000+3.17 грн
15000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 1887
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : ONSEMI mmbt6520lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 30...200
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+14.86 грн
50+7.82 грн
63+6.10 грн
100+5.46 грн
250+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+14.91 грн
65+9.30 грн
66+9.24 грн
101+5.79 грн
250+5.31 грн
500+5.01 грн
1000+3.90 грн
3000+3.42 грн
6000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : ONSEMI mmbt6520lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 30...200
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 656 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+17.83 грн
30+9.74 грн
50+7.32 грн
100+6.55 грн
250+4.42 грн
687+4.18 грн
1500+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : ONSEMI 1840568.pdf Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.07 грн
117+7.10 грн
500+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : onsemi mmbt6520lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP
на замовлення 202613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.57 грн
33+10.41 грн
100+5.59 грн
1000+4.49 грн
3000+3.16 грн
9000+2.87 грн
24000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : onsemi mmbt6520lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 32948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.28 грн
24+12.95 грн
100+8.08 грн
500+5.61 грн
1000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : ONSEMI 1840568.pdf Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.16 грн
46+18.07 грн
117+7.10 грн
500+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G
Код товару: 147958
Додати до обраних Обраний товар

mmbt6520lt1-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.