Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBT6520LT1G

MMBT6520LT1G

mmbt6520lt1-d.pdf
Код товару: 147958
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBT6520LT1G за ціною від 2.55 грн до 23.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G onsemi mmbt6520lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.27 грн
6000+3.70 грн
9000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G onsemi MMBT6520LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP
на замовлення 172826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.04 грн
30+10.88 грн
100+6.14 грн
500+4.90 грн
1000+4.42 грн
3000+2.97 грн
6000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G onsemi mmbt6520lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
25+12.12 грн
100+7.55 грн
500+5.23 грн
1000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G ONSEMI 1840568.pdf Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.84 грн
60+13.61 грн
100+8.86 грн
500+6.21 грн
1500+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G mmbt6520lt1-d.pdf
MMBT6520LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.27 грн
6000+3.70 грн
9000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1-D.PDF
MMBT6520LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP
на замовлення 172826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.04 грн
30+10.88 грн
100+6.14 грн
500+4.90 грн
1000+4.42 грн
3000+2.97 грн
6000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G mmbt6520lt1-d.pdf
MMBT6520LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+20.97 грн
25+12.12 грн
100+7.55 грн
500+5.23 грн
1000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G 1840568.pdf
MMBT6520LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
34+23.84 грн
60+13.61 грн
100+8.86 грн
500+6.21 грн
1500+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.