MMBT7002DW Diotec Semiconductor
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 58+ | 12.37 грн |
| 83+ | 8.54 грн |
| 84+ | 8.46 грн |
| 85+ | 8.07 грн |
| 126+ | 5.02 грн |
| 250+ | 4.77 грн |
| 500+ | 3.63 грн |
| 1000+ | 2.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT7002DW Diotec Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 200mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.
Інші пропозиції MMBT7002DW за ціною від 2.13 грн до 17.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT7002DW | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A On-state resistance: 7.5Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT7002DW | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT7002DW | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A On-state resistance: 7.5Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 210 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT7002DW | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.115A, 150C, N |
на замовлення 2695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBT7002DW | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 1592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
MMBT7002DW | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT7002DW | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
MMBT7002DW | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
товару немає в наявності |


