MMBT7002K DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
175+ | 2.22 грн |
275+ | 1.31 грн |
500+ | 1.18 грн |
900+ | 0.89 грн |
2500+ | 0.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT7002K DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.
Інші пропозиції MMBT7002K за ціною від 1.01 грн до 9.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBT7002K | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 0.35W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.8A кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 4125 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT7002K | Виробник : Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, SOT-23, 60V, 0.3A, 150C, N |
на замовлення 8012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT7002K | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 1247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT7002K | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBT7002K | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
товар відсутній |