Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > MMBT7002KDW-AQ
MMBT7002KDW-AQ

MMBT7002KDW-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

mmbt7002kdw.pdf Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.58 грн
64+6.39 грн
100+4.25 грн
500+3.25 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT7002KDW-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 295mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції MMBT7002KDW-AQ за ціною від 2.02 грн до 20.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT7002KDW-AQ MMBT7002KDW-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt7002kdw.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.50 грн
38+7.96 грн
100+5.10 грн
500+3.90 грн
1000+3.50 грн
3000+2.97 грн
6000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQ MMBT7002KDW-AQ Виробник : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.48 грн
30+10.92 грн
100+6.79 грн
500+4.68 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQ MMBT7002KDW-AQ Виробник : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf MOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 8696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.29 грн
30+11.96 грн
100+5.98 грн
500+4.19 грн
1000+3.73 грн
3000+3.18 грн
9000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQ Виробник : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf N-Channel Enhancement Mode FET Automotive AEC-Q101
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQ Виробник : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf N-Channel Enhancement Mode FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQ MMBT7002KDW-AQ Виробник : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.