MMBT7002KDW-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Gate charge: 0.44nC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 9.82 грн |
| 64+ | 6.55 грн |
| 100+ | 4.36 грн |
| 500+ | 3.33 грн |
| 1000+ | 2.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT7002KDW-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 350mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT7002KDW-AQ за ціною від 3.73 грн до 17.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT7002KDW-AQ | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MMBT7002KDW-AQ | Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101 |
на замовлення 7276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MMBT7002KDW-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MMBT7002KDW-AQ | Diotec Semiconductor |
MMBT7002KDW-AQ |
на замовлення 2745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MMBT7002KDW-AQ |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 17.05 грн |
| 31+ | 9.85 грн |
| 100+ | 6.13 грн |
| 500+ | 4.22 грн |
| 1000+ | 3.73 грн |
| MMBT7002KDW-AQ |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
MOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 7276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MMBT7002KDW-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT7002KDW-AQ |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
MMBT7002KDW-AQ
MMBT7002KDW-AQ
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2526+ | 5.60 грн |




