Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > MMBT7002KDW-AQ
MMBT7002KDW-AQ

MMBT7002KDW-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

mmbt7002kdw.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Gate charge: 0.44nC
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.96 грн
64+6.65 грн
100+4.42 грн
500+3.38 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT7002KDW-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 350mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMBT7002KDW-AQ за ціною від 2.38 грн до 21.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT7002KDW-AQ MMBT7002KDW-AQ Виробник : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.30 грн
31+9.99 грн
100+6.22 грн
500+4.28 грн
1000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQ MMBT7002KDW-AQ Виробник : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf MOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 7276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.26 грн
30+10.77 грн
100+5.87 грн
500+4.33 грн
1000+3.84 грн
3000+3.35 грн
9000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQ MMBT7002KDW-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt7002kdw.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+21.03 грн
56+14.76 грн
100+12.39 грн
500+9.16 грн
1000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQ Виробник : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf MMBT7002KDW-AQ
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2526+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 2526
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQ MMBT7002KDW-AQ Виробник : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQ MMBT7002KDW-AQ Виробник : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.