Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > MMBT7002KDW-AQ
MMBT7002KDW-AQ

MMBT7002KDW-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D0AF5B048E20D6&compId=mmbt7002kdw.pdf?ci_sign=3e54e1d40f90382ce7adfdb4a44a6b61dcd8a40f Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 4Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 0.44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.06 грн
64+6.04 грн
100+4.30 грн
388+2.32 грн
1065+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT7002KDW-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 295mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції MMBT7002KDW-AQ за ціною від 2.13 грн до 16.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBT7002KDW-AQ MMBT7002KDW-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D0AF5B048E20D6&compId=mmbt7002kdw.pdf?ci_sign=3e54e1d40f90382ce7adfdb4a44a6b61dcd8a40f Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 4Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 0.44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+10.87 грн
38+7.53 грн
100+5.16 грн
388+2.78 грн
1065+2.63 грн
21000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQ MMBT7002KDW-AQ Виробник : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf MOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.01 грн
39+8.86 грн
100+5.21 грн
500+3.96 грн
1000+3.52 грн
3000+3.23 грн
9000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQ MMBT7002KDW-AQ Виробник : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.67 грн
32+9.79 грн
100+6.04 грн
500+3.97 грн
1000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQ Виробник : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf N-Channel Enhancement Mode FET Automotive AEC-Q101
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQ Виробник : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf N-Channel Enhancement Mode FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQ MMBT7002KDW-AQ Виробник : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.