MMBT7002KDW DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.82 грн |
| 111+ | 7.39 грн |
| 500+ | 5.06 грн |
| 1000+ | 4.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT7002KDW DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 350mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBT7002KDW за ціною від 3.67 грн до 19.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT7002KDW | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate charge: 0.44nC |
на замовлення 1712 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MMBT7002KDW | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 1761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MMBT7002KDW | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MMBT7002KDW | Виробник : Diotec Semiconductor |
SMD MOSFET |
на замовлення 1712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
MMBT7002KDW | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
MMBT7002KDW | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150C, N |
товару немає в наявності |