MMBT7002KDW DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 4Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 0.44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 11.53 грн |
| 59+ | 6.50 грн |
| 100+ | 4.27 грн |
| 403+ | 2.23 грн |
| 1107+ | 2.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT7002KDW DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 295mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.
Інші пропозиції MMBT7002KDW за ціною від 2.13 грн до 15.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT7002KDW | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150C, N |
на замовлення 5452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT7002KDW | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 4Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Version: ESD Gate charge: 0.44nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT7002KDW | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 2271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMBT7002KDW | Виробник : Diotec Semiconductor |
SMD MOSFET |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
MMBT7002KDW | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 295mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
товару немає в наявності |