MMBT918 ON Semiconductor


PN918%2C%20MMBT918.pdf
Виробник: ON Semiconductor
High Performance RF BJT IC
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+31.61 грн
50+30.17 грн
100+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 25 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT918 ON Semiconductor

Description: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Gain: 15dB, Power - Max: 225mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V, Frequency - Transition: 600MHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3.

Інші пропозиції MMBT918

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT918 MMBT918 onsemi PN918%2C%20MMBT918.pdf Description: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 600MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT918 MMBT918 onsemi PN918%2C%20MMBT918.pdf RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT918 PN918%2C%20MMBT918.pdf
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 600MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT918 PN918%2C%20MMBT918.pdf
Виробник: onsemi
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.