Продукція > ONSEMI > MMBT918LT1G
MMBT918LT1G

MMBT918LT1G onsemi

mmbt918lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT-23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
Frequency - Transition: 600MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 225mW
Gain: 11dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.58 грн
6000+2.40 грн
9000+2.35 грн
15000+2.16 грн
21000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT918LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, universell, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 600MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBT918LT1G за ціною від 2.47 грн до 8.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT918LT1G MMBT918LT1G onsemi mmbt918lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT-23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
Frequency - Transition: 600MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 225mW
Gain: 11dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.99 грн
67+4.49 грн
77+3.92 грн
100+3.10 грн
250+2.82 грн
500+2.65 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT918LT1G MMBT918LT1G ONSEMI mmbt918lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 50mA; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 20
Mounting: SMD
Frequency: 600MHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.05 грн
68+6.15 грн
77+5.40 грн
92+4.55 грн
103+4.07 грн
113+3.69 грн
250+3.43 грн
500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT918LT1G MMBT918LT1G onsemi MMBT918LT1_D-2316264.pdf Bipolar Transistors - BJT 50mA 15V NPN
на замовлення 15954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT918LT1G MMBT918LT1G ONSEMI 2354488.pdf Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, universell, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 600MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT918LT1G MMBT918LT1G ONSEMI 2354488.pdf Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, universell, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 600MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT918LT1G mmbt918lt1-d.pdf
MMBT918LT1G
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT-23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
Frequency - Transition: 600MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 225mW
Gain: 11dB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+6.99 грн
67+4.49 грн
77+3.92 грн
100+3.10 грн
250+2.82 грн
500+2.65 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT918LT1G mmbt918lt1-d.pdf
MMBT918LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 50mA; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 20
Mounting: SMD
Frequency: 600MHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+8.05 грн
68+6.15 грн
77+5.40 грн
92+4.55 грн
103+4.07 грн
113+3.69 грн
250+3.43 грн
500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT918LT1G MMBT918LT1_D-2316264.pdf
MMBT918LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50mA 15V NPN
на замовлення 15954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT918LT1G 2354488.pdf
MMBT918LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, universell, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 600MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT918LT1G 2354488.pdf
MMBT918LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, universell, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 600MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.