MMBT918LT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 600MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.34 грн |
| 6000+ | 3.73 грн |
| 9000+ | 3.50 грн |
| 15000+ | 3.04 грн |
| 21000+ | 2.90 грн |
| 30000+ | 2.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT918LT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, universell, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 600MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBT918LT1G за ціною від 2.72 грн до 26.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT918LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, universell, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 600MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT918LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, universell, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 600MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT918LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 50mA 15V NPN |
на замовлення 15954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT918LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 50mA; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Frequency: 600MHz Mounting: SMD Current gain: 20 Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 50mA |
на замовлення 2889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT918LT1G | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 11dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 600MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
на замовлення 32292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT918LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 50mA; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Frequency: 600MHz Mounting: SMD Current gain: 20 Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2889 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT918LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MMBT918LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT918LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT918LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT918LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |