Продукція > ONSEMI > MMBT918LT1G
MMBT918LT1G

MMBT918LT1G ONSEMI

mmbt918lt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 50mA; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 600MHz
Kind of transistor: RF
Current gain: 20
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+8.13 грн
68+6.21 грн
77+5.45 грн
92+4.60 грн
103+4.11 грн
113+3.72 грн
250+3.46 грн
500+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 56 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT918LT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, universell, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 600MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBT918LT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBT918LT1G MMBT918LT1G onsemi mmbt918lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 50mA 15V NPN
на замовлення 86933 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT918LT1G MMBT918LT1G ONSEMI 2354488.pdf Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, universell, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 600MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT918LT1G MMBT918LT1G ONSEMI 2354488.pdf Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, universell, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 600MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT918LT1G mmbt918lt1-d.pdf
MMBT918LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50mA 15V NPN
на замовлення 86933 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT918LT1G 2354488.pdf
MMBT918LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, universell, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 600MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT918LT1G 2354488.pdf
MMBT918LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, universell, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 600MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.