Продукція > DIODES ZETEX > MMBTA05-7-F
MMBTA05-7-F

MMBTA05-7-F Diodes Zetex

mmbta05_mmbta06.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5556000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA05-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMBTA05-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBTA05-7-F за ціною від 1.68 грн до 18.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTA05-7-F MMBTA05-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBTA05_MMBTA06.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 5727000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.43 грн
6000+2.96 грн
9000+2.78 грн
15000+2.42 грн
21000+2.31 грн
30000+2.21 грн
75000+1.94 грн
150000+1.80 грн
300000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05-7-F MMBTA05-7-F Виробник : DIODES INC. DIODS20593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTA05-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.96 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05-7-F MMBTA05-7-F Виробник : Diodes Incorporated MMBTA05_MMBTA06.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 5737711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.36 грн
32+9.92 грн
100+6.16 грн
500+4.24 грн
1000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05-7-F MMBTA05-7-F Виробник : Diodes Incorporated DIODS20593_1-2512538.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V 300mW
на замовлення 20146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.47 грн
33+10.70 грн
100+5.82 грн
500+4.31 грн
1000+3.78 грн
3000+3.02 грн
6000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05-7-F MMBTA05-7-F Виробник : DIODES INC. DIODS20593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTA05-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+18.66 грн
73+11.62 грн
118+7.21 грн
500+4.96 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05-7-F Виробник : DIODES MMBTA05_MMBTA06.pdf SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05-7-F MMBTA05-7-F Виробник : Diodes Inc 1398ds30037.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05-7-F MMBTA05-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbta05_mmbta06.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05-7-F MMBTA05-7-F Виробник : Diodes Zetex mmbta05_mmbta06.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05-7-F Виробник : DIODES INCORPORATED MMBTA05_MMBTA06.pdf MMBTA05-7-F NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.