на замовлення 5904000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 2.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA05-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - MMBTA05-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBTA05-7-F за ціною від 1.65 грн до 22.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBTA05-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5898000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA05-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBTA05-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 6069000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA05-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBTA05-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTA05-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA05-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 6077264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBTA05-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 60V 300mW |
на замовлення 37962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA05-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTA05-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMBTA05-7-F | Виробник : DIODES |
SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
MMBTA05-7-F | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBTA05-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |