MMBTA05LT1G ON Semiconductor
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8621+ | 1.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA05LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBTA05LT1G за ціною від 1.18 грн до 15.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBTA05LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA05LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA05LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA05LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA05LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 28275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBTA05LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBTA05LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA05LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 22522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBTA05LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V NPN |
на замовлення 68170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA05LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMBTA05LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMBTA05-7-F MMBTA05-TP MMBTA05LT1G MMBTA05LT3G MMBTA05 TMMBTA05 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MMBTA05LT1G | Виробник : ONSEMI |
MMBTA05LT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 219 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
MMBTA05LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |