Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA05LT1G
MMBTA05LT1G

MMBTA05LT1G ON Semiconductor

mmbta05lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA05LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBTA05LT1G за ціною від 1.15 грн до 15.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.67 грн
6000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6788+1.80 грн
8380+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 6788
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5120+2.38 грн
9000+2.19 грн
27000+2.16 грн
51000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 5120
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.58 грн
6000+2.22 грн
9000+2.08 грн
15000+1.81 грн
21000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 28275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : ONSEMI 2353756.pdf Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : onsemi MMBTA05LT1_D-2316070.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V NPN
на замовлення 83599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.78 грн
50+6.77 грн
100+3.02 грн
1000+2.72 грн
3000+1.69 грн
9000+1.47 грн
24000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : ONSEMI MMBTA05L_06L.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.55 грн
56+6.90 грн
65+5.98 грн
89+4.35 грн
96+4.01 грн
102+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 25672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.53 грн
41+7.59 грн
100+4.71 грн
500+3.22 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : ONSEMI MMBTA05L_06L.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.86 грн
34+8.59 грн
39+7.17 грн
53+5.22 грн
75+4.81 грн
100+4.53 грн
461+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : ONSEMI 2353756.pdf Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+15.27 грн
92+9.00 грн
147+5.62 грн
500+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMBTA05-7-F MMBTA05-TP MMBTA05LT1G MMBTA05LT3G MMBTA05 TMMBTA05
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G Виробник : ONS mmbta05lt1-d.pdf Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=60V; Ic=0,5A; f=100MHz; Pdmax=0,225W; hfemin=100@100mA,1V
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
34+8.72 грн
50+5.40 грн
100+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.