Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA05LT1G
MMBTA05LT1G

MMBTA05LT1G ON Semiconductor

mmbta05lt1d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.96 грн
6000+1.94 грн
24000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA05LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBTA05LT1G за ціною від 1.33 грн до 13.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+1.96 грн
7282+1.94 грн
24000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 7212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15874+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 15874 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G onsemi mmbta05lt1-d.pdf description Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.45 грн
6000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G ONSEMI MMBTA05L_06L.pdf description Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.50 грн
50+8.46 грн
74+5.62 грн
100+4.68 грн
500+3.17 грн
1000+2.74 грн
1500+2.54 грн
3000+2.26 грн
6000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G onsemi mmbta05lt1-d.pdf description Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 58467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
39+7.69 грн
100+4.75 грн
500+3.24 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G ONSEMI 2353756.pdf description Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+13.34 грн
127+6.36 грн
164+4.91 грн
500+3.34 грн
1500+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G ONSEMI 2353756.pdf description Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.34 грн
127+6.36 грн
164+4.91 грн
500+3.34 грн
1500+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G onsemi mmbta05lt1-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V NPN
на замовлення 76540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.82 грн
39+8.16 грн
100+4.48 грн
500+3.17 грн
1000+2.82 грн
3000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G ON-Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMBTA05-7-F MMBTA05-TP MMBTA05LT1G MMBTA05LT3G MMBTA05 TMMBTA05
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G description mmbta05lt1d.pdf
MMBTA05LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7212+1.96 грн
7282+1.94 грн
24000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 7212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G description mmbta05lt1d.pdf
MMBTA05LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15874+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 15874 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G description mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA05LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.45 грн
6000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G description MMBTA05L_06L.pdf
MMBTA05LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
36+12.50 грн
50+8.46 грн
74+5.62 грн
100+4.68 грн
500+3.17 грн
1000+2.74 грн
1500+2.54 грн
3000+2.26 грн
6000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G description mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA05LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 58467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.17 грн
39+7.69 грн
100+4.75 грн
500+3.24 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G description 2353756.pdf
MMBTA05LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
61+13.34 грн
127+6.36 грн
164+4.91 грн
500+3.34 грн
1500+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G description 2353756.pdf
MMBTA05LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+13.34 грн
127+6.36 грн
164+4.91 грн
500+3.34 грн
1500+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G description mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA05LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V NPN
на замовлення 76540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.82 грн
39+8.16 грн
100+4.48 грн
500+3.17 грн
1000+2.82 грн
3000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G description mmbta05lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMBTA05-7-F MMBTA05-TP MMBTA05LT1G MMBTA05LT3G MMBTA05 TMMBTA05
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.