на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA06-7-F Diodes Inc
Description: DIODES INC. - MMBTA06-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBTA06-7-F за ціною від 1.42 грн до 16.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBTA06-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBTA06-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBTA06-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTA06-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBTA06-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 350mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Quantity in set/package: 3000pcs. |
на замовлення 6327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBTA06-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 60666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBTA06-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 350mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Quantity in set/package: 3000pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6327 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBTA06-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 80V 300mW |
на замовлення 87908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBTA06-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTA06-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMBTA06-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
MMBTA06-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |




