
MMBTA06LT1G ON Semiconductor
на замовлення 1116779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA06LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBTA06LT1G за ціною від 0.73 грн до 13.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10599000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2859000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10599000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 188188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2859000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 125518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 201809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 125518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 12560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
MMBTA06LT1G Код товару: 164531
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ON |
![]() Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uceo,V: 80 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 0,5 A Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 47807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 47807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 188188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12560 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 149620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 201809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
MMBTA06LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1956 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBTA06LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 46 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |