Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMBTA06LT1G ON

MMBTA06LT1G ON

MMBTA05LT1_D-2316070.pdf
Код товару: 164531
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+20.00 грн
10+8.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBTA06LT1G за ціною від 0.92 грн до 13.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4131000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4131000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12397+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 12397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 867000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.77 грн
6000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+1.96 грн
7353+1.92 грн
9000+1.87 грн
27000+1.75 грн
51000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 7212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013776900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.98 грн
9000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ONSEMI 1842125.pdf Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 213923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.82 грн
1500+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2989+4.73 грн
4133+3.42 грн
4793+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 2989 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2971+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 2971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+9.35 грн
135+5.61 грн
218+3.47 грн
500+2.42 грн
1000+1.94 грн
3000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ONSEMI mmbta05.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 33991 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.82 грн
61+6.80 грн
71+5.89 грн
104+4.00 грн
123+3.37 грн
500+2.34 грн
1000+2.01 грн
1500+1.86 грн
3000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 867534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.07 грн
53+5.67 грн
100+3.50 грн
500+2.37 грн
1000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G onsemi mmbta05lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
на замовлення 283238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+10.37 грн
52+6.10 грн
100+3.24 грн
500+2.34 грн
1000+2.07 грн
3000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ONSEMI mmbta05lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 213227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+11.17 грн
120+6.70 грн
194+4.15 грн
500+2.82 грн
1500+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+13.19 грн
97+7.79 грн
159+4.76 грн
500+3.30 грн
1000+2.64 грн
3000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+13.34 грн
96+7.87 грн
157+4.82 грн
500+3.34 грн
1000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1052+13.45 грн
1055+13.42 грн
1056+13.40 грн
3000+12.89 грн
6000+11.92 грн
15000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 1052 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+13.49 грн
100+12.99 грн
250+12.01 грн
500+11.50 грн
1000+11.48 грн
3000+11.46 грн
6000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G ON Semiconductor MMBTA05LT1-D_ONS.PDF Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G ON-Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G ON-Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G On Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf NPN, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 100МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
182+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4131000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4131000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12397+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 12397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 867000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.77 грн
6000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7212+1.96 грн
7353+1.92 грн
9000+1.87 грн
27000+1.75 грн
51000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 7212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G ONSM-S-A0013776900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBTA06LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.98 грн
9000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G 1842125.pdf
MMBTA06LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 213923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+2.82 грн
1500+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2989+4.73 грн
4133+3.42 грн
4793+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 2989 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2971+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 2971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
81+9.35 грн
135+5.61 грн
218+3.47 грн
500+2.42 грн
1000+1.94 грн
3000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G mmbta05.pdf
MMBTA06LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 33991 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
46+9.82 грн
61+6.80 грн
71+5.89 грн
104+4.00 грн
123+3.37 грн
500+2.34 грн
1000+2.01 грн
1500+1.86 грн
3000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 867534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+10.07 грн
53+5.67 грн
100+3.50 грн
500+2.37 грн
1000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
на замовлення 283238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
32+10.37 грн
52+6.10 грн
100+3.24 грн
500+2.34 грн
1000+2.07 грн
3000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 213227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
72+11.17 грн
120+6.70 грн
194+4.15 грн
500+2.82 грн
1500+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
58+13.19 грн
97+7.79 грн
159+4.76 грн
500+3.30 грн
1000+2.64 грн
3000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
57+13.34 грн
96+7.87 грн
157+4.82 грн
500+3.34 грн
1000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1052+13.45 грн
1055+13.42 грн
1056+13.40 грн
3000+12.89 грн
6000+11.92 грн
15000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 1052 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
56+13.49 грн
100+12.99 грн
250+12.01 грн
500+11.50 грн
1000+11.48 грн
3000+11.46 грн
6000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G MMBTA05LT1-D_ONS.PDF
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G mmbta05lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G mmbta05lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1G mmbta05lt1-d.pdf
Виробник: On Semiconductor
NPN, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 100МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
182+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.