Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA06LT3G
MMBTA06LT3G

MMBTA06LT3G ON Semiconductor

mmbta05lt1d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13044+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 13044 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA06LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA06LT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - Unlimited, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції MMBTA06LT3G за ціною від 0.93 грн до 12.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.45 грн
20000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24194+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 24194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24194+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 24194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+7.26 грн
174+4.36 грн
302+2.50 грн
500+1.80 грн
1000+1.30 грн
2000+1.23 грн
5000+1.04 грн
10000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1899+7.45 грн
1914+7.39 грн
1929+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 1899 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 120723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.07 грн
53+5.67 грн
100+3.50 грн
500+2.37 грн
1000+2.08 грн
2000+1.83 грн
5000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G onsemi mmbta05lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
на замовлення 166432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+10.37 грн
52+6.10 грн
100+3.24 грн
500+2.34 грн
1000+1.86 грн
5000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ONSEMI mmbta05lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA06LT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 881354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+11.33 грн
116+6.94 грн
185+4.36 грн
250+3.55 грн
500+2.81 грн
1000+2.47 грн
2500+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+12.20 грн
96+7.92 грн
100+7.56 грн
101+7.24 грн
250+6.65 грн
500+6.34 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+1.45 грн
20000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24194+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 24194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24194+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 24194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
104+7.26 грн
174+4.36 грн
302+2.50 грн
500+1.80 грн
1000+1.30 грн
2000+1.23 грн
5000+1.04 грн
10000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1899+7.45 грн
1914+7.39 грн
1929+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 1899 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 120723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+10.07 грн
53+5.67 грн
100+3.50 грн
500+2.37 грн
1000+2.08 грн
2000+1.83 грн
5000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
на замовлення 166432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
32+10.37 грн
52+6.10 грн
100+3.24 грн
500+2.34 грн
1000+1.86 грн
5000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA06LT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 881354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
71+11.33 грн
116+6.94 грн
185+4.36 грн
250+3.55 грн
500+2.81 грн
1000+2.47 грн
2500+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
62+12.20 грн
96+7.92 грн
100+7.56 грн
101+7.24 грн
250+6.65 грн
500+6.34 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.