
MMBTA06LT3G ON Semiconductor
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
30000+ | 0.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA06LT3G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 225 mW.
Інші пропозиції MMBTA06LT3G за ціною від 0.78 грн до 11.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBTA06LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1370000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1370000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 95771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 32327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 32327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT3G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 38975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA06LT3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товару немає в наявності |