Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA06LT3G
MMBTA06LT3G

MMBTA06LT3G ON Semiconductor

mmbta05lt1d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13044+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 13044 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 13044 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA06LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA06LT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - Unlimited, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції MMBTA06LT3G за ціною від 0.93 грн до 12.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.46 грн
20000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24194+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 24194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24194+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 24194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+7.69 грн
165+4.57 грн
301+2.51 грн
500+1.94 грн
1000+1.44 грн
2000+1.32 грн
5000+1.08 грн
10000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1765+8.01 грн
1793+7.89 грн
1821+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 1765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
53+5.74 грн
100+3.53 грн
500+2.40 грн
1000+2.10 грн
2000+1.85 грн
5000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+12.45 грн
90+8.39 грн
92+8.27 грн
100+7.86 грн
250+7.16 грн
500+6.76 грн
1000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G onsemi mmbta05lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
на замовлення 129633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ONSEMI mmbta05lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA06LT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 877974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+1.46 грн
20000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24194+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 24194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24194+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 24194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
99+7.69 грн
165+4.57 грн
301+2.51 грн
500+1.94 грн
1000+1.44 грн
2000+1.32 грн
5000+1.08 грн
10000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1765+8.01 грн
1793+7.89 грн
1821+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 1765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.19 грн
53+5.74 грн
100+3.53 грн
500+2.40 грн
1000+2.10 грн
2000+1.85 грн
5000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+12.45 грн
90+8.39 грн
92+8.27 грн
100+7.86 грн
250+7.16 грн
500+6.76 грн
1000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
на замовлення 129633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA06LT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 877974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.