Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA06LT3G
MMBTA06LT3G

MMBTA06LT3G ON Semiconductor

mmbta05lt1d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13044+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 13044 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA06LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA06LT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - Unlimited, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції MMBTA06LT3G за ціною від 0.93 грн до 12.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24194+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 24194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24194+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 24194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.49 грн
20000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+7.24 грн
174+4.35 грн
302+2.49 грн
500+1.80 грн
1000+1.29 грн
2000+1.23 грн
5000+1.04 грн
10000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1899+7.43 грн
1914+7.38 грн
1929+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 1899 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.17 грн
52+5.87 грн
100+3.61 грн
500+2.45 грн
1000+2.14 грн
2000+1.88 грн
5000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+12.17 грн
96+7.90 грн
100+7.55 грн
101+7.22 грн
250+6.64 грн
500+6.32 грн
1000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ONSEMI mmbta05lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA06LT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 877974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G onsemi mmbta05lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
на замовлення 156920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24194+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 24194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24194+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 24194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+1.49 грн
20000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
104+7.24 грн
174+4.35 грн
302+2.49 грн
500+1.80 грн
1000+1.29 грн
2000+1.23 грн
5000+1.04 грн
10000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1899+7.43 грн
1914+7.38 грн
1929+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 1899 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.17 грн
52+5.87 грн
100+3.61 грн
500+2.45 грн
1000+2.14 грн
2000+1.88 грн
5000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+12.17 грн
96+7.90 грн
100+7.55 грн
101+7.22 грн
250+6.64 грн
500+6.32 грн
1000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA06LT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 877974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT3G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
на замовлення 156920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.