
MMBTA13LT1G ON Semiconductor
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
527+ | 1.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA13LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 225mW, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 300mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBTA13LT1G за ціною від 1.22 грн до 11.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBTA13LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA13LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA13LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA13LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA13LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA13LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA13LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA13LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA13LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA13LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA13LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 300mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 21730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA13LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 57109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA13LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA13LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA13LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 22707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
MMBTA13LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA13LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBTA13LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |