Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA13LT1G
MMBTA13LT1G

MMBTA13LT1G ON Semiconductor

mmbta13lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10136+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 10136
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA13LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 225mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 300mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 300mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMBTA13LT1G за ціною від 1.05 грн до 13.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6579+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 6579
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 621000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5320+2.28 грн
6000+2.03 грн
9000+1.94 грн
15000+1.73 грн
21000+1.59 грн
30000+1.34 грн
75000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 5320
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5155+2.35 грн
6000+2.10 грн
9000+2.01 грн
15000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 5155
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 621000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.44 грн
6000+2.17 грн
9000+2.08 грн
15000+1.85 грн
21000+1.70 грн
30000+1.43 грн
75000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.53 грн
6000+2.26 грн
9000+2.16 грн
15000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Виробник : ONSEMI 1708290.pdf Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.00 грн
1500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1680+7.21 грн
1684+7.20 грн
1688+7.18 грн
3000+6.91 грн
6000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 1680
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+7.59 грн
151+4.59 грн
239+2.90 грн
500+2.06 грн
1000+1.67 грн
3000+1.13 грн
6000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+7.78 грн
90+7.75 грн
100+7.46 грн
250+6.90 грн
500+6.61 грн
1000+6.59 грн
3000+6.58 грн
6000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BA81680E3F0EE469&compId=MMBTA13LT1G.PDF?ci_sign=d6e08d0938bccd5929d086596ffe7a89cabd7d6e Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.18 грн
53+7.48 грн
79+5.03 грн
100+4.17 грн
500+2.74 грн
578+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Виробник : onsemi mmbta13lt1-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.45 грн
47+6.77 грн
100+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Виробник : onsemi 2D79A2C2C8F6D9F37861D4380C4EE3CBEDDA339BC3B6FD895897EDBD2A8EDB95.pdf Darlington Transistors 300mA 30V NPN
на замовлення 34776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.17 грн
49+7.22 грн
100+4.01 грн
500+3.40 грн
1000+3.02 грн
3000+2.12 грн
6000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BA81680E3F0EE469&compId=MMBTA13LT1G.PDF?ci_sign=d6e08d0938bccd5929d086596ffe7a89cabd7d6e Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.21 грн
32+9.32 грн
50+6.03 грн
100+5.00 грн
500+3.29 грн
578+1.92 грн
1588+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Виробник : ONSEMI 1708290.pdf Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+13.23 грн
106+8.04 грн
166+5.14 грн
500+4.00 грн
1500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R MMBTA13LT1G MMBTA13LT3G MMBTA13LT1G ON Semiconductor TMMBTA13l
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Виробник : onsemi mmbta13lt1-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.