Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA13LT1G
MMBTA13LT1G

MMBTA13LT1G ON Semiconductor

mmbta13lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18750+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 18750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA13LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 225mW, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 300mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 300mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBTA13LT1G за ціною від 1.65 грн до 11.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.05 грн
6000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6913+2.05 грн
7010+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 6913 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G onsemi mmbta13lt1-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.14 грн
6000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6466+2.19 грн
6638+2.13 грн
6850+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 6466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+2.56 грн
302+2.50 грн
309+2.44 грн
318+2.29 грн
326+2.07 грн
500+1.93 грн
1000+1.88 грн
3000+1.83 грн
6000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4121+3.43 грн
9000+2.83 грн
27000+2.68 грн
51000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 4121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ONSEMI MMBTA13LT1G.PDF Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.82 грн
54+7.79 грн
61+6.80 грн
88+4.74 грн
103+4.05 грн
500+2.83 грн
1000+2.44 грн
1500+2.24 грн
3000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ONSEMI 1708290.pdf Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+11.33 грн
133+6.07 грн
191+4.23 грн
500+2.95 грн
1500+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ONSEMI 1708290.pdf Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 225mW
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.33 грн
133+6.07 грн
191+4.23 грн
500+2.95 грн
1500+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G onsemi mmbta13lt1-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 9825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.62 грн
44+6.79 грн
100+4.19 грн
500+2.85 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G onsemi mmbta13lt1-d.pdf Darlington Transistors 300mA 30V NPN
на замовлення 49828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.73 грн
49+6.57 грн
100+3.65 грн
500+2.82 грн
1000+2.48 грн
3000+1.93 грн
6000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G ON-Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R MMBTA13LT1G MMBTA13LT3G MMBTA13LT1G ON Semiconductor TMMBTA13l
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
MMBTA13LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.05 грн
6000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
MMBTA13LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6913+2.05 грн
7010+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 6913 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
MMBTA13LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.14 грн
6000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
MMBTA13LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6466+2.19 грн
6638+2.13 грн
6850+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 6466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
MMBTA13LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
295+2.56 грн
302+2.50 грн
309+2.44 грн
318+2.29 грн
326+2.07 грн
500+1.93 грн
1000+1.88 грн
3000+1.83 грн
6000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
MMBTA13LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4121+3.43 грн
9000+2.83 грн
27000+2.68 грн
51000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 4121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G.PDF
MMBTA13LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
46+9.82 грн
54+7.79 грн
61+6.80 грн
88+4.74 грн
103+4.05 грн
500+2.83 грн
1000+2.44 грн
1500+2.24 грн
3000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G 1708290.pdf
MMBTA13LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
71+11.33 грн
133+6.07 грн
191+4.23 грн
500+2.95 грн
1500+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G 1708290.pdf
MMBTA13LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 225mW
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+11.33 грн
133+6.07 грн
191+4.23 грн
500+2.95 грн
1500+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
MMBTA13LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 9825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.62 грн
44+6.79 грн
100+4.19 грн
500+2.85 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
MMBTA13LT1G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 300mA 30V NPN
на замовлення 49828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
28+11.73 грн
49+6.57 грн
100+3.65 грн
500+2.82 грн
1000+2.48 грн
3000+1.93 грн
6000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R MMBTA13LT1G MMBTA13LT3G MMBTA13LT1G ON Semiconductor TMMBTA13l
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.