MMBTA13LT1G ON Semiconductor


mmbta13lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 930000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.60 грн
6000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA13LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 225mW, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 300mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 300mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBTA13LT1G за ціною від 1.46 грн до 12.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 930000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9260+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 9260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G onsemi mmbta13lt1-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.41 грн
6000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+2.57 грн
322+2.46 грн
337+2.35 грн
353+2.16 грн
369+1.91 грн
500+1.74 грн
1000+1.65 грн
3000+1.56 грн
6000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 5770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5282+2.80 грн
9000+2.66 грн
27000+2.57 грн
51000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 5282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ONSEMI MMBTA13LT1G.PDF Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 30V
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 125MHz
Collector current: 0.3A
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+12.01 грн
50+8.58 грн
58+7.47 грн
81+5.34 грн
100+4.59 грн
500+3.20 грн
559+1.75 грн
1534+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G onsemi mmbta13lt1-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.03 грн
44+7.18 грн
100+4.44 грн
500+3.02 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G onsemi mmbta13lt1-d.pdf Darlington Transistors 300mA 30V NPN
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
25+12.95 грн
40+7.96 грн
100+4.33 грн
500+3.50 грн
1000+3.04 грн
3000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ONSEMI 1708290.pdf Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ONSEMI 1708290.pdf Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 225mW
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 930000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9260+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 9260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.41 грн
6000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
308+2.57 грн
322+2.46 грн
337+2.35 грн
353+2.16 грн
369+1.91 грн
500+1.74 грн
1000+1.65 грн
3000+1.56 грн
6000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5770+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 5770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5282+2.80 грн
9000+2.66 грн
27000+2.57 грн
51000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 5282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 30V
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 125MHz
Collector current: 0.3A
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+12.01 грн
50+8.58 грн
58+7.47 грн
81+5.34 грн
100+4.59 грн
500+3.20 грн
559+1.75 грн
1534+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+12.03 грн
44+7.18 грн
100+4.44 грн
500+3.02 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 300mA 30V NPN
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.95 грн
40+7.96 грн
100+4.33 грн
500+3.50 грн
1000+3.04 грн
3000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G 1708290.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA13LT1G 1708290.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 225mW
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.