MMBTA14LT1G ON Semiconductor
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA14LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA14LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 225mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 300mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 300mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBTA14LT1G за ціною від 1.25 грн до 14.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBTA14LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 103988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA14LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA14LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA14LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA14LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA14LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTA14LT1G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 300mA 30V NPN |
на замовлення 17825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTA14LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA14LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 300mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTA14LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 1706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA14LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA14LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 300mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 300mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA14LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA14LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| MMBTA14LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R NTE2404 MMBTA14LT1G ON Semiconductor TMMBTA14l кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 820 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
 |
MMBTA14LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA14LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA14LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA14LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA14LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz |
товару немає в наявності |