Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA42LT1G
MMBTA42LT1G

MMBTA42LT1G ON Semiconductor

mmbta42lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.54 грн
6000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA42LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MMBTA42LT1G за ціною від 1.31 грн до 18.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G onsemi mmbta42lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.54 грн
6000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5556+2.54 грн
6000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 5556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5475+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 5475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.61 грн
6000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5320+2.65 грн
9000+2.39 грн
27000+2.31 грн
51000+2.12 грн
102000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 5320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 955785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+7.28 грн
179+4.22 грн
282+2.67 грн
500+1.89 грн
1000+1.44 грн
3000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ONSEMI MMBTA42LT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 16011 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.62 грн
53+7.95 грн
77+5.47 грн
100+4.65 грн
500+3.26 грн
1000+2.82 грн
1500+2.61 грн
3000+2.29 грн
6000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G onsemi mmbta42lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.08 грн
38+7.98 грн
100+4.93 грн
500+3.36 грн
1000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.12 грн
74+10.20 грн
117+6.44 грн
500+4.72 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G On Semiconductor MMBTA42LT1%2C%20MMBTA43LT1.pdf NPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=25...40, 50МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G onsemi mmbta42lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V NPN
на замовлення 137787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ONSEMI 1708291.pdf Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 29747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ONSEMI 1708291.pdf Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 29747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G ON-Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Transistor NPN; 40; 300mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA42LT1G; MMBTA42LT3G; MMBTA42LT1G TMMBTA42lt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 1355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G ON Semiconductor MMBTA42LT1-D.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 30 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мA, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 313 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
MMBTA42LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.54 грн
6000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
MMBTA42LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5556+2.54 грн
6000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 5556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
MMBTA42LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5475+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 5475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
MMBTA42LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.61 грн
6000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
MMBTA42LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5320+2.65 грн
9000+2.39 грн
27000+2.31 грн
51000+2.12 грн
102000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 5320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
MMBTA42LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 955785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
104+7.28 грн
179+4.22 грн
282+2.67 грн
500+1.89 грн
1000+1.44 грн
3000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G.PDF
MMBTA42LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 16011 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.62 грн
53+7.95 грн
77+5.47 грн
100+4.65 грн
500+3.26 грн
1000+2.82 грн
1500+2.61 грн
3000+2.29 грн
6000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
MMBTA42LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.08 грн
38+7.98 грн
100+4.93 грн
500+3.36 грн
1000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
MMBTA42LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+18.12 грн
74+10.20 грн
117+6.44 грн
500+4.72 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1%2C%20MMBTA43LT1.pdf
MMBTA42LT1G
Виробник: On Semiconductor
NPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=25...40, 50МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
MMBTA42LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V NPN
на замовлення 137787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G 1708291.pdf
MMBTA42LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 29747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G 1708291.pdf
MMBTA42LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 29747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G ONSM-S-A0013307665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBTA42LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 40; 300mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA42LT1G; MMBTA42LT3G; MMBTA42LT1G TMMBTA42lt1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 1355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1-D.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 30 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мA, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 313 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.