MMBTA42LT1G ON Semiconductor
на замовлення 747000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9375+ | 1.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTA42LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MMBTA42LT1G за ціною від 1.32 грн до 15.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBTA42LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 747000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTA42LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA42LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTA42LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 82443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA42LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 48725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA42LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 958785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTA42LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz |
на замовлення 1348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA42LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 82443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA42LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTA42LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V NPN |
на замовлення 13819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA42LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1348 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MMBTA42LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor NPN; 40; 300mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA42LT1G; MMBTA42LT3G; MMBTA42LT1G TMMBTA42lt1 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1355 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBTA42LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor NPN; 40; 300mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA42LT1G; MMBTA42LT3G; MMBTA42LT1G TMMBTA42lt1 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBTA42LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - TRANSISTOR, NPN, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 48725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBTA42LT1G | Виробник : On Semiconductor |
NPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=25...40, 50МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| MMBTA42LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор NPN; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; ft, МГц = 50; hFE = 40 @ 30 мA, 10 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мA; Р, Вт = 0,225 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 |
на замовлення 54 шт: термін постачання 3 дні (днів) |